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魏进

作品数：11 被引量：0H指数：0
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地区

  • 10个四川省
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共 12 条 记 录，以下是 1-10
张波
供职机构：电子科技大学
研究主题：功率半导体器件 半导体功率器件 导通压降 导电类型 电能传输系统
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张竞
供职机构：电子科技大学
研究主题：ALGAN/GAN 功率 HFET NMOS 异质结场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘扬
供职机构：中山大学
研究主题：GAN 栅极 势垒 阈值电压 FET器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
姚尧
供职机构：中山大学
研究主题：FET器件 GAN 绝缘层 欧姆接触 势垒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈万军
供职机构：电子科技大学
研究主题：漂移区 导通压降 极区 脉冲功率 半导体技术
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汪志刚
供职机构：电子科技大学
研究主题：场发射阵列 场发射 ALGAN/GAN 氮化镓 功率半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈万军
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题：氮化镓 击穿电压 IGBT 脉冲放电 ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任敏
供职机构：电子科技大学
研究主题：导电类型 功率半导体器件 漂移区 半导体 导通压降
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李巍
供职机构：电子科技大学
研究主题：半导体功率器件 功率半导体器件 绝缘栅双极型晶体管 安全工作区 功率集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张蒙
供职机构：电子科技大学
研究主题：半导体功率器件 功率半导体器件 击穿电压 VDMOS器件 氧化层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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