张竞
- 作品数：8 被引量：0H指数：0
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- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金国家自然科学基金更多>>
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- 常关型场控沟道GaN异质结二极管
- 常关型场控沟道GaN异质结二极管，属于半导体器件技术领域。本发明采用绝缘层-凹槽、调制掺杂以及凹槽-调制掺杂相结合的技术改变现有GaN异质结二极管的导电沟道结构，将原有的常开型自发极化GaN异质结导电沟道改成本发明中的自...
- 陈万军张竞汪志刚魏进张波
- 文献传递
- 基于能带调制模型的高压增强型AlGaN/GaN HFET器件
- 2012年
- 提出了一种能带调制模型,通过在异质结界面处引入负离子电荷(如氟离子)调制异质结处的局部能带分布,实现了对异质结界面处的高密度2DEG的改变。基于能带调制模型,提出了一种复合调制沟道AlGaN/GaNHFET器件。通过在增强型沟道调制区和RESURF调制区分别引入不同剂量的负离子,不仅实现了增强型器件,而且可以降低尖峰电场,优化异质结电场分布,提高器件击穿电压。通过器件仿真软件对其器件工作原理进行了模拟分析,并通过实验结果表明,其器件品质因子FOM由传统器件的4.8MW.cm-2提高到26.7MW.cm-2。
- 张竞陈万军汪志刚魏进张波
- 关键词：氮化镓异质结场效应晶体管增强型RESURF
- 一种低开启电压快恢复二极管
- 本文提出了一种新型低开启电压快恢复二极管.理论分析了这种二极管的原理,建立了该器件的正向压降的解析式.对此二极管进行模拟仿真分析,表明:在相同耐压下, 本文所提出的二极管的正向压降比常规PN结二板管低,反向恢复比常规PN...
- 魏进张蒙饶成元张竞陈万军张波
- 关键词：PN结二极管正向压降泄漏电流
- 文献传递
- 一种场致隧穿增强型HEMT器件
- 一种场致隧穿增强型HEMT器件，属于半导体器件技术领域。与常规AlGaN/GaNHEMT器件不同的是，本发明中金属源极是肖特基势垒接触而不是常规结构中的欧姆接触；金属栅极不再位于源极和漏极之间而是通过刻蚀凹槽在远离漏极的...
- 陈万军张竞尉中杰魏进张波
- 文献传递
- 一种NMOS控制AlGaN/GaN HFET高压功率混合集成器件
- 针对常规AlGaN/GaN HFET是常开型器件而不适合功率系统应用的问题,提出了一种新型常关型NMOS控制AlGaN/GaN HFET高压功率混合集成器件。通过在Si基AlGaN/GaN衬底上混合集成Si NMOS和A...
- 汪志刚张竞陈万军
- 关键词：高压器件
- 文献传递
- 基于能带调制技术的AlGaN/GaN功率器件研究
- 作为宽禁带半导体器件，AlGaN/GaN基功率器件在功率开关与功率整流中，以其耐高压、低导通电阻等特性而成为国际研究热点之一。其中，异质结场效应晶体管（HFET）沟道中负离子注入在可以调制能带分布的同时，也能够显著改变异...
- 张竞
- 关键词：仿真模型
- 一种NMOS控制AlGaN/GaN HFET高压功率混合集成器件
- 针对常规A1GaN/GaN HFET是常开型器件而不适合功率系统应用的问题,提出了一种新型常关型NMOS控制AlGaN/GaN HFET高压功率混合集成器件。通过在Si基AlGaN/GaN衬底上混合集成Si NMOS和A...
- 汪志刚张竞陈万军
- 关键词：异质结场效应晶体管ALGAN/GAN
- 文献传递
- 一种基于MOS控制的增强型GaN异质结场效应晶体管
- 一种基于MOS控制的增强型GaN异质结场效应晶体管，属于功率半导体器件技术领域。包括单片集成的低压MOS管和耗尽型GaN异质结场效应晶体管；其中，MOS管的漏极和耗尽型GaN异质结场效应晶体管的源极相连；二者的栅极互连，...
- 陈万军魏进汪志刚张竞张波
- 文献传递
