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刘华预

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

领域

  • 4个电子电信
  • 2个理学

主题

  • 4个电路
  • 4个电路工艺
  • 4个深槽
  • 4个溴化
  • 4个溴化氢
  • 4个离子刻蚀
  • 2个单晶
  • 2个单晶硅
  • 2个低剂量
  • 2个低剂量率
  • 2个电荷耦合
  • 2个电荷耦合器
  • 2个电荷耦合器件
  • 2个电离辐射效应
  • 2个电离辐照
  • 2个钝化
  • 2个钝化膜
  • 2个多晶
  • 2个多晶硅
  • 2个多晶硅栅

机构

  • 4个西安电子科技...
  • 4个电子工业部
  • 2个西北电讯工程...
  • 1个电子科技大学
  • 1个中国电子科技...

资助

  • 2个国家自然科学...
  • 2个国家部委预研...
  • 2个国家重点实验...

传媒

  • 4个微电子学
  • 4个西安电子科技...
  • 2个Journa...
  • 2个物理学报
  • 2个电子学报
  • 2个核技术
  • 2个微细加工技术
  • 2个电子科学学刊
  • 2个第六届全国电...
  • 1个微电子学与计...
  • 1个原子能科学技...
  • 1个固体电子学研...
  • 1个电子元器件应...
  • 1个首届全国电子...
  • 1个第九届全国电...

地区

  • 3个陕西省
  • 1个北京市
共 4 条 记 录，以下是 1-4
叶兴耀
供职机构：电子工业部
研究主题：集成电路 HBR 硅 反应离子刻蚀 深槽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘家璐
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：离子注入 BF MOS器件 多晶硅栅 锑化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王清平
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：硅 反应离子刻蚀 集成电路 HBR 深槽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张廷庆
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：离子注入 BF MOS器件 多晶硅栅 锑化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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