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叶兴耀

作品数：3 被引量：3H指数：1
供职机构：电子工业部更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇电路
  • 3篇集成电路
  • 2篇深槽
  • 2篇离子刻蚀
  • 2篇刻蚀
  • 2篇反应离子
  • 2篇反应离子刻蚀
  • 2篇硅
  • 2篇HBR
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇电路工艺
  • 1篇运算放大器
  • 1篇溴化
  • 1篇溴化氢
  • 1篇精密运算放大...
  • 1篇集成电路工艺
  • 1篇放大器

机构

  • 2篇西安电子科技...
  • 1篇电子工业部
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 3篇叶兴耀
  • 2篇刘家璐
  • 2篇张廷庆
  • 2篇王清平
  • 1篇刘华预

传媒

  • 2篇微电子学
  • 1篇西安电子科技...

年份

  • 1篇1998
  • 1篇1995
  • 1篇1990
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
HBr反应离子刻蚀硅深槽被引量：1
1995年
对ＨＢｒ反应离子刘蚀硅和ＳｉＯ＿２进行了实验研究。介绍了ＨＢｒ等离子体的刻蚀特性，讨论了ＨＢｒ反应离子刻蚀硅的刻蚀机理，研究了ＨＢｒ中微量氧、碳对ＨＢｒＲＩＥ刻蚀过程的影响。实验表明，ＨＢｒ是一种刻蚀硅深槽理想的含原子溴反应气体。采用ＨＢｒＲＩＥ，可获得高选择比（对Ｓｉ／ＳｉＯ＿２）和良好的各向异性。
刘家璐张廷庆刘华预王清平叶兴耀
关键词：反应离子刻蚀集成电路
X0044低噪声精密运算放大器被引量：2
1990年
本文简要介绍了国内外低频低噪声半导体器件和集成电路的一些情况;着重描述了我们研制X0044运算放大器所采用的降低1/f噪声的优化电路设计和工艺。研制出的样品,其低频噪声≤30nV(Hz)^(1/2)^(1/2),接近国外同类电路水平。
叶兴耀
关键词：运算放大器集成电路
HBr反应离子刻蚀微米硅深槽
1998年
采用一种新型的刻蚀气体——ＨＢｒ＋Ｈｅ作为反应离子刻蚀气体，用ＳｉＯ２作为刻硅槽的掩膜，在８～１３Ω·ｃｍＰ型（１００）硅片上，刻出槽宽１．２μｍ，槽深０．８μｍ的硅深槽，并对ＨＢｒ反应离子刻蚀硅的高度各向异性以及刻蚀过程中产生的“宽度”效应和“黑硅”现象进行了分析．
刘家璐张廷庆王清平叶兴耀
关键词：反应离子刻蚀溴化氢集成电路工艺
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