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王清平

作品数：6 被引量：12H指数：2
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 4篇刻蚀
  • 3篇电路
  • 3篇离子刻蚀
  • 3篇集成电路
  • 3篇反应离子
  • 3篇反应离子刻蚀
  • 3篇硅
  • 2篇深槽
  • 2篇HBR
  • 1篇电路工艺
  • 1篇电子器件
  • 1篇双极工艺
  • 1篇溴化
  • 1篇溴化氢
  • 1篇微电子
  • 1篇微电子器件
  • 1篇刻蚀技术
  • 1篇互补双极工艺
  • 1篇集成电路工艺
  • 1篇高频

机构

  • 5篇电子工业部
  • 2篇西安电子科技...

作者

  • 6篇王清平
  • 2篇刘家璐
  • 2篇张廷庆
  • 2篇王界平
  • 2篇苏韧
  • 2篇叶兴耀
  • 1篇郭林
  • 1篇刘先锋
  • 1篇刘华预

传媒

  • 5篇微电子学
  • 1篇西安电子科技...

年份

  • 1篇1998
  • 2篇1996
  • 2篇1995
  • 1篇1994
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
HBr反应离子刻蚀硅深槽被引量：1
1995年
对ＨＢｒ反应离子刘蚀硅和ＳｉＯ＿２进行了实验研究。介绍了ＨＢｒ等离子体的刻蚀特性，讨论了ＨＢｒ反应离子刻蚀硅的刻蚀机理，研究了ＨＢｒ中微量氧、碳对ＨＢｒＲＩＥ刻蚀过程的影响。实验表明，ＨＢｒ是一种刻蚀硅深槽理想的含原子溴反应气体。采用ＨＢｒＲＩＥ，可获得高选择比（对Ｓｉ／ＳｉＯ＿２）和良好的各向异性。
刘家璐张廷庆刘华预王清平叶兴耀
关键词：反应离子刻蚀集成电路
高频互补双极工艺探析被引量：2
1995年
本文对目前国内外制作高速集成运算放大器新采用的互补双极（ＣＢ）工艺作了一粗略分析。并结合作者在ＣＢ工艺方面的实验和国内当前工艺和设备水平，提出了两种在现有技术条件下可以实现的ＣＢ工艺。
王界平王清平苏韧刘先锋
关键词：互补双极工艺集成电路
硅槽刻蚀技术中的源气体选择被引量：3
1994年
源气体及组分的选择是硅槽刻蚀技术的关键因素。本文介绍了刻蚀过程中源气体及组分对硅的作用方式，从刻蚀速率、侧壁钝化、损伤、刻蚀均匀性等方面分析比较了近年来所出现的几种硅糟刻蚀用源气体及组分。
王清平苏韧
关键词：刻蚀
SOI全介质隔离与高频互补双极兼容工艺被引量：2
1996年
ＳＯＩ材料的全介质隔离技术与高频互补双极工艺的结合是研制抗辐照能力强、频带宽、速度高的集成运算放大器的理想途径。从实验的角度提出了一种ＳＯＩ材料全介质隔离与高频互补双极工艺兼容的工艺途径。
王界平王清平
关键词：SOI材料
HBr反应离子刻蚀微米硅深槽
1998年
采用一种新型的刻蚀气体——ＨＢｒ＋Ｈｅ作为反应离子刻蚀气体，用ＳｉＯ２作为刻硅槽的掩膜，在８～１３Ω·ｃｍＰ型（１００）硅片上，刻出槽宽１．２μｍ，槽深０．８μｍ的硅深槽，并对ＨＢｒ反应离子刻蚀硅的高度各向异性以及刻蚀过程中产生的“宽度”效应和“黑硅”现象进行了分析．
刘家璐张廷庆王清平叶兴耀
关键词：反应离子刻蚀溴化氢集成电路工艺
1μm宽硅深槽刻蚀技术被引量：6
1996年
介绍了硅深槽刻蚀的基本原理和影响对蚀效果的几个主要工艺因素。提出了一种实现１μｍ宽的硅深槽刻蚀工艺途径；并给出了１μｍ宽、８μｍ深、侧壁及底部光洁的硅深糟刻蚀工艺条件。
王清平郭林刘兴凤蔡永才黄正学
关键词：反应离子刻蚀微电子器件
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共1页<1>
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