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刘华预

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电路
  • 1篇深槽
  • 1篇离子刻蚀
  • 1篇刻蚀
  • 1篇集成电路
  • 1篇反应离子
  • 1篇反应离子刻蚀
  • 1篇硅
  • 1篇HBR

机构

  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 1篇刘家璐
  • 1篇张廷庆
  • 1篇刘华预
  • 1篇王清平
  • 1篇叶兴耀

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇1995
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
HBr反应离子刻蚀硅深槽被引量：1
1995年
对ＨＢｒ反应离子刘蚀硅和ＳｉＯ＿２进行了实验研究。介绍了ＨＢｒ等离子体的刻蚀特性，讨论了ＨＢｒ反应离子刻蚀硅的刻蚀机理，研究了ＨＢｒ中微量氧、碳对ＨＢｒＲＩＥ刻蚀过程的影响。实验表明，ＨＢｒ是一种刻蚀硅深槽理想的含原子溴反应气体。采用ＨＢｒＲＩＥ，可获得高选择比（对Ｓｉ／ＳｉＯ＿２）和良好的各向异性。
刘家璐张廷庆刘华预王清平叶兴耀
关键词：反应离子刻蚀集成电路
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共1页<1>
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