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李辉杰

作品数:17 被引量:7H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
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领域

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17 条 记 录,以下是 1-10
杨少延
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:衬底 生长温度 氮化镓 非极性 协变
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王占国
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:量子点 量子级联激光器 衬底 砷化镓 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵桂娟
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 非极性 氮化镓基发光二极管 多量子阱 镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏鸿源
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 非极性 锌源 氮化铝 铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汪连山
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 氮化镓基发光二极管 多量子阱 MOVPE 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘祥林
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 氮化物 GAN MOVPE MOCVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯玉霞
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓基发光二极管 氮化镓 氮化铝 硅衬底 一维纳米结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张恒
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓基发光二极管 氮化镓 蓝宝石衬底 蓝宝石 多量子阱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李成明
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:协变 衬底 量子级联激光器 铪 硅基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩东岳
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:掺铁 HEMT GAN缓冲层 沟道 记忆效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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