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冯玉霞

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>

合作作者

领域

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主题

  • 11个氮化镓
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机构

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传媒

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地区

  • 11个北京市
共 11 条 记 录，以下是 1-10
魏鸿源
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 非极性 锌源 氮化铝 铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨少延
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：衬底 生长温度 氮化镓 非极性 协变
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
焦春美
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 衬底 锌源 生长温度 氧化锌薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王占国
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 量子级联激光器 衬底 砷化镓 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵桂娟
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 非极性 氮化镓基发光二极管 多量子阱 镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李辉杰
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：非极性 氮化铝 氢化物气相外延 氮化镓 生长温度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汪连山
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 氮化镓基发光二极管 多量子阱 MOVPE 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张恒
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓基发光二极管 氮化镓 蓝宝石衬底 蓝宝石 多量子阱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘祥林
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 氮化物 GAN MOVPE MOCVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王建霞
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 镓 铟 氮化镓基发光二极管 氮化镓薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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