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陈延湖

作品数：23 被引量：29H指数：2
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刘新宇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 欧姆接触 ALGAN/GAN 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王显泰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：INP INGAP/GAAS_HBT 功率放大器 磷化铟 金属
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
申华军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：欧姆接触 碳化硅 刻蚀 INGAP/GAAS_HBT 肖特基二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴德馨
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：HEMT ALGAN/GAN INGAP/GAAS_HBT 欧姆接触 氮化镓器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
葛霁
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：HBT INP DHBT 磷化铟 功率管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李惠军
供职机构：山东大学
研究主题：同步数字体系 集成电路 超深亚微米 可制造性设计 超大规模集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯尚功
供职机构：山东大学
研究主题：HBT 高频增益 小信号 外延层 器件尺寸
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘昱
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：功率放大器 参考电极 敏感场 读出电路 CMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
姚小江
供职机构：中国电子科技集团第十四研究所
研究主题：混合集成电路 兰格耦合器 宽带功率放大器 ALGAN/GAN HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王晓鲲
供职机构：山东大学
研究主题：掺杂 阳极 仿真软件 仿真方法 功率半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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