王显泰
- 作品数：46 被引量：36H指数：4
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划中国科学院知识创新工程重要方向项目中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 一种制作磷化铟单片微波集成电路的方法
- 本发明公开了一种制作磷化铟单片微波集成电路的方法，包括：在InP衬底正面的外延层上制作MMIC电路；涂敷光刻胶层保护该MMIC电路，形成InP基片；将该InP基片、蓝宝石双面抛光片和磨花玻璃基板采用石蜡黏合，形成5层叠层...
- 汪宁王显泰苏永波郭建楠金智
- 发射极空气桥InGaP/GaAs HBT的DC和RF特性分析被引量：1
- 2007年
- 为抑制电流增益崩塌,提高HBT的热稳定性,研制了发射极空气桥互连结构的HBT晶体管,应用ICCAP提取参数建立VBIC模型,结合模型参数对三种不同结构HBT的DC和RF特性进行比较分析.与引线爬坡互连结构相比,发射极空气桥互连结构HBT的热阻得到改善,热稳定性提高;与发射极电阻镇流方式相比,发射极空气桥HBT的截止频率(fT)相同,最大振荡频率(fmax)提高,最大稳定功率增益(MSG)高出约5dB.
- 申华军葛霁杨威陈延湖王显泰刘新宇吴德馨
- 关键词：热阻镇流电阻
- 高频频率源装置
- 本发明公开了一种高频频率源装置。该高频频率源装置包括：单片GaN HEMT微波振荡器，用于产生高功率的微波振荡信号；锁相电路，用于接收微波振荡信号，实现对单片GaN HEMT微波振荡器输出的微波振荡信号的锁相；倍频电路，...
- 王显泰吴旦昱刘洪刚刘新宇
- GaAs MMIC用无源元件的模型被引量：11
- 2006年
- 制作了不同结构参数的GaAsMMIC无源元件,包括矩形螺旋电感、MIM电容和薄膜电阻,建立了无源元件的等效电路模型库,采用多项式公式表征无源元件的模型参数和性能参数,便于电路设计的应用.并提取得到MIM电容的单位面积电容值,约为195pF/mm2,NiCr薄膜电阻的方块电阻约为16·1Ω/□.分析结构参数对螺旋电感性能的影响可知,减小线圈面积相关的寄生损耗有助于获得高品质的电感.
- 申华军陈延湖严北平杨威葛霁王显泰刘新宇吴德馨
- 关键词：MMIC薄膜电阻
- 传输线脉冲发生器电压探测中振荡问题的研究被引量：1
- 2009年
- 对传输线脉冲发生器电压探测中的振荡问题进行了研究。通过减小电压探头的寄生电感克服了振铃问题,通过缩短电压探头和待测器件之间的传输段传输线长度降低了探头处实际承受的上冲电压,从而有效地抑制了传输线脉冲发生器电压探测中的振荡问题,提高了测试的准确性,并在国内率先制造出了波形质量达到国际先进水平的传输线脉冲发生器。
- 曾传滨李晶王显泰海潮和韩郑生
- 关键词：静电放电振铃电压波形
- InGaP/GaAs HBT X波段混合集成功率合成放大器的研制(英文)
- 2008年
- 研制了面向X波段应用的InGaP/GaAs HBT混合集成功率合成放大器模块.电路采用一种新颖的具有片上RC稳定网络的In-GaP/GaAs HBT功率管作为功率合成单元以提高电路的稳定性,并采用紧凑的微带线并联匹配网络进行功率分配和合成.在8.1GHz,偏置为Vcc=7V,Ic=230mA的AB类工作条件下,连续波最大输出功率为28.9dBm,功率合成效率达到80%.
- 陈延湖申华军王显泰陈高鹏刘新宇袁东风王祖强
- 关键词：INGAP/GAASHBT功率合成混合集成电路
- 在集成电路片内制作集成矩形波导谐振腔的方法
- 本发明公开了一种在集成电路片内制作集成矩形波导谐振腔的方法，包括：选择衬底，在选择的衬底上旋涂光刻胶，并光刻显影，形成谐振腔底面的金属图形；淀积金属，剥离在底面金属图形之外淀积的金属，形成谐振腔的金属底面；旋涂光刻胶，并...
- 王显泰金智吴旦昱
- 一种碳基场效应晶体管及其制备方法
- 本发明涉及一种碳基场效应晶体管及其制备方法，属于纳电子学技术领域。所述碳基场效应晶体管包括半导体衬底、绝缘层、导电通道、源电极、漏电极、栅介质层和栅电极，绝缘层设置于半导体衬底上，导电通道设置于绝缘层上，导电通道由碳基材...
- 金智麻芃郭建楠苏永波王显泰
- 文献传递
- 一种减小石墨烯材料与金属接触电阻的结构
- 本发明公开了一种减小石墨烯材料与金属接触电阻的结构，该结构是在石墨烯材料与金属的接触区域使用多层石墨烯，在沟道区域使用单层石墨烯。利用本发明，减小了石墨烯与金属接触的电阻，从而有效的增加了石墨烯FET器件的开态电流，提高...
- 金智陈娇麻芃王显泰彭松昂
- 文献传递
- C波段3.5W/mm,PAE>40%的InGaP/GaAs HBT功率管被引量：5
- 2006年
- 通过优化InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)的材料结构和器件结构,采用BE金属自对准、发射极镇流和电镀空气桥等工艺技术,研制了C波段InGaP/GaAsHBT功率管.其击穿电压BVCBO大于31V,BVCEO大于21V;在5.4GHz时连续波(CW)饱和输出功率达到1.4W,功率密度达到3.5W/mm,功率附加效率(PAE)大于40%.
- 申华军陈延湖严北平葛霁王显泰刘新宇吴德馨
- 关键词：INGAP/GAAS异质结双极晶体管功率管
