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郭建楠
作品数:
13
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供职机构:
中国科学院微电子研究所
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相关领域:
电子电信
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合作作者
金智
中国科学院微电子研究所
王显泰
中国科学院微电子研究所
麻芃
中国科学院微电子研究所
苏永波
中国科学院微电子研究所
潘洪亮
中国科学院微电子研究所
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作者
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郭建楠
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王显泰
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金智
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麻芃
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苏永波
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潘洪亮
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汪宁
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吴旦昱
年份
1篇
2015
3篇
2014
6篇
2012
2篇
2011
1篇
2009
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一种石墨烯薄膜的衬底转移方法
本发明涉及一种石墨烯薄膜的衬底转移方法,属于半导体薄膜领域。所述衬底转移方法包括将有机胶体旋涂在石墨烯薄膜的表面并烘干坚膜,在有机胶体表面贴附胶带,随后将胶带粘附的基片材料放入腐蚀溶液中腐蚀石墨烯薄膜下的金属催化剂层,待...
金智
麻芃
郭建楠
王显泰
文献传递
一种制作磷化铟单片微波集成电路的方法
本发明公开了一种制作磷化铟单片微波集成电路的方法,包括:在InP衬底正面的外延层上制作MMIC电路;涂敷光刻胶层保护该MMIC电路,形成InP基片;将该InP基片、蓝宝石双面抛光片和磨花玻璃基板采用石蜡黏合,形成5层叠层...
汪宁
王显泰
苏永波
郭建楠
金智
一种针对CVD法制备的石墨烯薄膜的转移方法
本发明公开了一种针对CVD法制备的石墨烯薄膜的转移方法,属于新型材料和半导体工艺技术领域。在石墨烯薄膜表面悬涂作为支撑层的有机胶体或高分子聚合物;对悬涂了有机胶体或高分子聚合物的石墨烯薄膜进行坚膜;将坚膜完毕后的石墨烯薄...
郭建楠
麻芃
金智
王显泰
文献传递
一种减小金属与碳基材料的接触电阻的方法
本发明公开了一种减小金属与碳基材料的接触电阻的方法,该方法是在碳基材料的表面形成一掩膜金属层,然后在该掩膜金属层上光刻定义源漏区图形,腐蚀该源漏区图形处的掩膜金属层,并经金属蒸发以及剥离来制备源漏电极,最后去除沟道区上的...
金智
陈娇
麻芃
王显泰
潘洪亮
郭建楠
彭松昂
一种制作磷化铟单片微波集成电路的方法
本发明公开了一种制作磷化铟单片微波集成电路的方法,包括:在InP衬底正面的外延层上制作MMIC电路;涂敷光刻胶层保护该MMIC电路,形成InP基片;将该InP基片、蓝宝石双面抛光片和磨花玻璃基板采用石蜡黏合,形成5层叠层...
汪宁
王显泰
苏永波
郭建楠
金智
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一种碳基场效应晶体管及其制备方法
本发明涉及一种碳基场效应晶体管及其制备方法,属于纳电子学技术领域。所述碳基场效应晶体管包括半导体衬底、绝缘层、导电通道、源电极、漏电极、栅介质层和栅电极,绝缘层设置于半导体衬底上,导电通道设置于绝缘层上,导电通道由碳基材...
金智
麻芃
郭建楠
苏永波
王显泰
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一种制备金属与石墨烯欧姆接触的方法
本发明公开了一种制备金属与石墨烯欧姆接触的方法,包括:在衬底上用微机械剥离法或CVD转移法制备单层和少数层石墨烯材料;在该石墨烯材料上旋涂光刻胶;采用光学光刻或者电子束直写的方法刻蚀石墨烯材料上的光刻胶,并用显影液显影,...
金智
潘洪亮
麻芃
郭建楠
彭松昂
陈娇
王显泰
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一种微型波导的制备方法
本发明涉及半导体工艺和MEMS工艺技术领域的一种微型波导的制备方法,所述方法包括:在基片上制作微型波导的底面金属壁;在制作完底面金属壁的基片上制作微型波导侧壁胶图形;在所述微型波导侧壁胶图形的侧面和顶面制作微型波导侧壁和...
王显泰
金智
郭建楠
吴旦昱
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一种石墨烯薄膜的衬底转移方法
本发明涉及一种石墨烯薄膜的衬底转移方法,属于半导体薄膜领域。所述衬底转移方法包括将有机胶体旋涂在石墨烯薄膜的表面并烘干坚膜,在有机胶体表面贴附胶带,随后将胶带粘附的基片材料放入腐蚀溶液中腐蚀石墨烯薄膜下的金属催化剂层,待...
金智
麻芃
郭建楠
王显泰
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一种减小金属与碳基材料的接触电阻的方法
本发明公开了一种减小金属与碳基材料的接触电阻的方法,该方法是在碳基材料的表面形成一掩膜金属层,然后在该掩膜金属层上光刻定义源漏区图形,腐蚀该源漏区图形处的掩膜金属层,并经金属蒸发以及剥离来制备源漏电极,最后去除沟道区上的...
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