葛霁
- 作品数：17 被引量：23H指数：2
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院知识创新工程重要方向项目国家重点基础研究发展计划中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 5.4GHz 1W InGaP/GaAs HBT功率管
- 在4英寸化合物工艺线上使用国产外延材料成功研制C波段InGaP/GaAs HBT功率管,器件的热稳定性和高频功率特性良好。电流增益截止频率(f)和最大振荡频率(f)分别为34GHz和32GHz;10×30×2μm功率管的...
- 申华军陈延湖葛霁王显泰刘新宇吴德馨
- Ⅲ-Ⅴ族HBT器件模型研究
- Ⅲ-Ⅴ族HBT特别是InP HBT是微波毫米波电路的关键器件，而国内外对其模型的研究还处于探索阶段，本论文对Ⅲ-Ⅴ族HBT器件的模型进行了系统的研究，建立了GaAs、InP基HBT大信号模型，通过设计实现InP HBT分...
- 葛霁
- 关键词：分频器
- 一种InP双异质结双极晶体管小信号物理模型及其提取方法被引量：2
- 2009年
- 研究了InP双异质结双极晶体管(DHBT)的能带结构对集电极电容的影响,解决了传统方法不能准确提取InPDHBT集电极电容的问题.考虑了基极-发射极和集电极-发射极引线间的交叠电容,并从物理上区分了InPDHBT的本征电阻、外部电阻与寄生电阻,建立了一个基于物理的InP基DHBT小信号模型.同时提出了一套直接提取模型参数的方法,该方法无需引入数学优化,具有清晰的物理意义.提取的结果在很宽的偏置范围内准确地拟合了器件特性,验证了模型的准确性与提取方法的有效性.
- 葛霁金智苏永波程伟刘新宇吴德馨
- 关键词：小信号模型
- 改进了渡越时间方程的InP DHBT模型
- 建立了一个改进了渡越时间方程的InP DHB大信号模型。从HB电荷方程出发,首先给出了InP DHB的耗尽电荷方程,接着分析了InP DHB集电极复合结构对载流子速度的影响,测试了集电极复合结构的InP DHB的渡越时间...
- 葛霁金智程伟苏永波刘新宇
- 关键词：大信号模型
- 文献传递
- GaAs MMIC用无源元件的模型被引量：11
- 2006年
- 制作了不同结构参数的GaAsMMIC无源元件,包括矩形螺旋电感、MIM电容和薄膜电阻,建立了无源元件的等效电路模型库,采用多项式公式表征无源元件的模型参数和性能参数,便于电路设计的应用.并提取得到MIM电容的单位面积电容值,约为195pF/mm2,NiCr薄膜电阻的方块电阻约为16·1Ω/□.分析结构参数对螺旋电感性能的影响可知,减小线圈面积相关的寄生损耗有助于获得高品质的电感.
- 申华军陈延湖严北平杨威葛霁王显泰刘新宇吴德馨
- 关键词：MMIC薄膜电阻
- W波段InP DHBT功率放大器的设计与仿真
- 介绍了基于中国科学院微电子研究所研制的InP DHB器件的W波段功率放大器MMIC的设计和仿真。对流片制作完成的4指InGaAs/InP DHB器件进行在片测试及参数提取,建立了器件的大信号模型。设计的W波段功率放大器中...
- 陈高鹏葛霁程伟王显泰苏永波金智刘新宇
- 关键词：W波段磷化铟功率放大器单片微波集成电路
- 文献传递
- GaAs HBT VBIC模型参数的提取
- 本文通过对HBT的VBIC模型参数提取的研究,提取了一套InGaP/GaAs功率管的VBIC模型参数。依据InGaP/GaAs HBT功率特性,简化了VBIC拓扑结构,特别考虑了寄生对提参建模的影响。对器件Ⅰ-Ⅴ特性和1...
- 葛霁刘新宇申华军陈延胡吴德馨
- 发射极空气桥InGaP/GaAs HBT的DC和RF特性分析被引量：1
- 2007年
- 为抑制电流增益崩塌,提高HBT的热稳定性,研制了发射极空气桥互连结构的HBT晶体管,应用ICCAP提取参数建立VBIC模型,结合模型参数对三种不同结构HBT的DC和RF特性进行比较分析.与引线爬坡互连结构相比,发射极空气桥互连结构HBT的热阻得到改善,热稳定性提高;与发射极电阻镇流方式相比,发射极空气桥HBT的截止频率(fT)相同,最大振荡频率(fmax)提高,最大稳定功率增益(MSG)高出约5dB.
- 申华军葛霁杨威陈延湖王显泰刘新宇吴德馨
- 关键词：热阻镇流电阻
- C波段3.5W/mm,PAE>40%的InGaP/GaAs HBT功率管被引量：5
- 2006年
- 通过优化InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)的材料结构和器件结构,采用BE金属自对准、发射极镇流和电镀空气桥等工艺技术,研制了C波段InGaP/GaAsHBT功率管.其击穿电压BVCBO大于31V,BVCEO大于21V;在5.4GHz时连续波(CW)饱和输出功率达到1.4W,功率密度达到3.5W/mm,功率附加效率(PAE)大于40%.
- 申华军陈延湖严北平葛霁王显泰刘新宇吴德馨
- 关键词：INGAP/GAAS异质结双极晶体管功率管
- HBT自热效应对功率放大器偏置电路的影响及补偿被引量：2
- 2007年
- 研究了GaAs HBT的自热效应对功率放大器镜像电流源偏置电路性能的影响.HBT自热效应使得这种偏置电路的镜像精度和温度特性变差.利用HBT器件特有的集电极电流热电负反馈理论,通过优化基极偏置电阻的方法,对自热效应进行了有效补偿,偏置电路的电流镜像精度得到有效提高,偏置电流温度漂移由9.5%减小到0.5%.
- 陈延湖申华军王显泰葛霁刘新宇吴德馨
- 关键词：自热效应HBT功率放大器
