2024年8月22日
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刘洪刚
作品数:
184
被引量:12
H指数:2
供职机构:
桂林电子科技大学
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国家重点基础研究发展计划
国家自然科学基金
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电子电信
金属学及工艺
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合作作者
常虎东
桂林电子科技大学
孙兵
中国科学院微电子研究所
王盛凯
桂林电子科技大学
赵威
中国科学院微电子研究所
刘新宇
中国科学院微电子研究所
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常虎东
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:衬底 沟道 界面态密度 半导体器件 迁移率
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孙兵
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:迁移率 沟道 锗 硅基 衬底
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王盛凯
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:微波等离子体 衬底 含氧气体 沟道 键合
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赵威
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:锗 氧化锗 纳米线结构 氧化物 阻挡层
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刘新宇
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:氮化镓 刻蚀 欧姆接触 ALGAN/GAN 衬底
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薛百清
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:衬底 锗 III-V族 二维光子晶体 硅基
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金智
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:石墨烯 金属 场效应晶体管 光刻胶 电极
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王虹
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:III-V族 衬底 III-V族半导体 氧化锗 锗
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卢力
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:势垒 III-V族半导体 氧化锗 锗 沟道
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刘桂明
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:模型参数 III-V族 锗 N型半导体 半导体器件
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