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刘洪刚

作品数：184 被引量：12H指数：2
供职机构：桂林电子科技大学更多>>
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常虎东
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：衬底 沟道 界面态密度 迁移率 半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙兵
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：迁移率 沟道 锗 硅基 衬底
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王盛凯
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：微波等离子体 沟道 衬底 含氧气体 键合
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵威
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：锗 氧化锗 纳米线结构 氧化物 阻挡层
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刘新宇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 欧姆接触 衬底 外延层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
薛百清
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：衬底 锗 III-V族 二维光子晶体 硅基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
金智
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：石墨烯 金属 场效应晶体管 光刻胶 电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王虹
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：III-V族 衬底 III-V族半导体 氧化锗 锗
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卢力
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：势垒 III-V族半导体 氧化锗 锗 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘桂明
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：III-V族 锗 N型半导体 半导体器件 沟道电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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