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常虎东
作品数:
127
被引量:7
H指数:1
供职机构:
中国科学院微电子研究所
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发文基金:
国家重点基础研究发展计划
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
一般工业技术
金属学及工艺
航空宇航科学技术
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合作作者
刘洪刚
桂林电子科技大学
孙兵
中国科学院微电子研究所
王盛凯
桂林电子科技大学
赵威
中国科学院微电子研究所
金智
中国科学院微电子研究所
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作者
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常虎东
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刘洪刚
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孙兵
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王盛凯
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2011
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一种III-V族MOSFET的小信号模型参数直接提取方法
本发明公开了一种III-V族MOSFET的小信号模型参数直接提取方法,属于微电子集成电路技术领域。该方法是通过焊盘和金属互联线去嵌,利用晶体管直流转移特性和冷态S参数确定提取晶体管寄生电阻时的合适偏置条件,然后在该偏置条...
刘洪刚
刘桂明
常虎东
一种去除碳纳米管表面聚合物的方法和碳纳米管
本发明涉及一种去除碳纳米管表面聚合物的方法和碳纳米管,属于半导体技术领域,解决了现有技术中去除碳纳米管表面聚合物的方法会引入较多的缺陷的问题。所述方法包括:步骤1:采用热模式原子层沉积方法在衬底表面的碳纳米管薄膜上生长一...
孙兵
常亚款
常虎东
魏珂
王鑫华
一种电加热4D打印合件及打印方法
本发明公开一种电加热4D打印合件及打印方法,导热胶带和所述加热导线复合,并贴附于4D打印构件的变形区域表面,提高4D打印构件的变形灵活性和均匀加热效果。
翟明龙
常虎东
孙兵
刘洪刚
文献传递
一种类Fin结构III‑V族半导体场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种类Fin结构III‑V族半导体场效应晶体管。所述晶体管主要包括衬底、氧化层、缓冲层,其中氧化层生长于衬底上并刻蚀有凹槽,缓冲层形成于刻蚀凹槽中且表面凸出于凹槽。本发明公开的类Fin结构III‑V族半导体场...
刘洪刚
李跃
王盛凯
龚著靖
常虎东
孙兵
一种超导纳米线结构及其制备方法
本发明公开了一种超导纳米线结构及其制备方法,其中,本发明利用自下而上的方式,采用侧墙技术,提供了一种超导纳米线结构的制备方法,包括:在衬底上沉积牺牲层,去除部分牺牲层和部分衬底,形成具有预设间距的多个剩余部分牺牲层和多个...
孙兵
刘建华
刘洪刚
常虎东
翟明龙
文献传递
一种III‑V族半导体MOSHEMT器件及其制备方法
本发明公开一种III‑V族半导体MOSHEMT器件及其制备方法,其组分渐变缓冲层降低III‑V半导体之间晶格失配,减少位错引进的缺陷。同时该器件结构不仅降低MOS界面态密度,并且通过对外延材料采用高In组分In<Sub>...
李海鸥
马磊
李思敏
首照宇
李琦
王盛凯
陈永和
张法碧
肖功利
傅涛
李跃
常虎东
孙兵
刘洪刚
文献传递
MOS-HEMT器件及其制作方法
本发明实施例公开了一种MOS-HEMT器件及其制作方法。所述方法包括:提供衬底,所述衬底上具有异质结结构,所述异质结结构包括:依次位于衬底上的缓冲层、沟道层、势垒层和帽层;在所述帽层上依次形成第一金属层和第一介质层;在所...
刘洪刚
卢力
常虎东
孙兵
文献传递
一种LTE高效射频功率放大器
本实用新型公开了一种LTE高效射频功率放大器,包括输入网络、稳定网络、晶体管、偏置网络以及输出网络;所述输入网络包括采用共轭匹配方式连接的第三匹配电容C3和第三匹配电感L3;所述稳定网络包括串联连接的第一电阻R1、第五电...
刘洪刚
周佳辉
常虎东
文献传递
一种异构集成射频放大器结构
本发明公布了一种异构集成射频放大器结构,包括:第一化合物半导体器件、第二化合物半导体器件、第三化合物半导体器件和第四化合物半导体器件;第一硅基PMOS器件和第二硅基PMOS器件;第一硅基PMOS器件的源极连接第三化合物半...
常虎东
孙兵
杨枫
丁武昌
刘洪刚
金智
文献传递
一种半导体器件参数提取装置及方法
本发明公开了一种半导体器件参数提取装置及方法,涉及微电子集成电路技术领域,该半导体器件参数提取方法包括:用于编写电路网表的电路描述步骤;用于布局测试计划以得到完备数据结果的器件测试步骤;用于从测试计划中提取寄生单元参数和...
刘洪刚
刘桂明
常虎东
周佳辉
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