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孙兵

作品数：121 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺航空宇航科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 117篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 18篇电子电信
  • 4篇一般工业技术
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 41篇半导体
  • 25篇衬底
  • 21篇迁移率
  • 19篇沟道
  • 17篇纳米
  • 16篇迁移
  • 12篇刻蚀
  • 12篇硅基
  • 12篇半导体器件
  • 12篇锗
  • 11篇异构
  • 11篇双栅
  • 11篇纳米线
  • 11篇半导体集成
  • 10篇单晶
  • 10篇氧化锗
  • 10篇纳米线结构
  • 10篇界面态
  • 9篇态密度
  • 9篇界面态密度

机构

  • 121篇中国科学院微...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 121篇孙兵
  • 117篇刘洪刚
  • 94篇常虎东
  • 65篇王盛凯
  • 35篇赵威
  • 16篇金智
  • 13篇卢力
  • 11篇薛百清
  • 9篇赵妙
  • 9篇王虹
  • 8篇苏永波
  • 8篇韩乐
  • 8篇刘新宇
  • 7篇丁武昌
  • 7篇李跃
  • 6篇丁芃
  • 4篇刘桂明
  • 4篇杨旭
  • 3篇郭浩
  • 3篇王博

传媒

  • 1篇太阳能学报
  • 1篇物理学报
  • 1篇湖南大学学报...

年份

  • 1篇2024
  • 4篇2023
  • 6篇2022
  • 8篇2021
  • 8篇2020
  • 20篇2019
  • 4篇2018
  • 16篇2017
  • 8篇2016
  • 5篇2015
  • 21篇2014
  • 8篇2013
  • 10篇2012
  • 2篇2011
共 121 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种异构集成射频放大器结构
本发明公布了一种异构集成射频放大器结构，包括：第一化合物半导体器件、第二化合物半导体器件、第三化合物半导体器件和第四化合物半导体器件；第一硅基PMOS器件和第二硅基PMOS器件；第一硅基PMOS器件的源极连接第三化合物半...
常虎东孙兵杨枫丁武昌刘洪刚金智
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一种硅基张应变衬底结构及其制备方法
本发明涉及一种硅基张应变衬底结构及其制备方法，属于半导体集成技术领域。所述衬底结构包括单晶硅衬底、缓冲层、组分缓变层、弛豫层和张应变层。缓冲层置于单晶硅衬底之上，组分缓变层置于缓冲层上，弛豫层置于组分缓变层之上，张应变层...
孙兵刘洪刚
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一种纳米线衬底结构及其制备方法
本发明公开了一种纳米线衬底结构及其制备方法，该纳米线衬底结构包括：单晶衬底；形成于单晶衬底上的缓冲层；形成于缓冲层上的牺牲层；以及形成于牺牲层上的纳米线结构层。本发明是在磷化铟和砷化镓衬底上形成铟镓砷纳米线结构，为铟镓砷...
孙兵刘洪刚赵威王盛凯常虎东
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一种硅基锗纳米结构衬底及其制备方法
本发明涉及半导体集成技术领域，公开了一种硅基锗纳米结构衬底及其制备方法，该硅基锗纳米结构衬底包括：单晶硅衬底；在该单晶硅衬底上形成的多个锗鳍；在该多个锗鳍上形成的帽层；以及填充于该单晶硅衬底上多个锗鳍之间的介质填充层。利...
孙兵刘洪刚
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石墨烯实现GaN基HEMT高效散热的倒装结构及方法
本发明公开一种石墨烯实现GaN基HEMT高效散热的倒装结构氮化镓基HEMT器件倒装封装结构及方法，该封装结构自下而上依次包括基板、形成于基板上的绝缘介质层、形成于绝缘介质层上的散热层、制备在散热层上的源电极焊盘、漏电极焊...
赵妙刘洪刚张国斌吴宗刚常虎东孙兵
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一种锗纳米线结构的制作方法
本发明公开了一种锗纳米线结构的制作方法，该方法包括：将锗衬底或沉积有锗薄膜的衬底洗净，对其表面进行光刻和刻蚀，获得锗线条结构；在锗线条结构表面沉积覆盖氧化物或者氮化物侧墙材料；利用各向异性刻蚀方法，去除掉锗线条间覆盖的侧...
王盛凯刘洪刚孙兵常虎东赵威
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一种GaAs衬底上的外延转移方法及制得的半导体器件
本发明涉及一种GaAs衬底上的外延转移方法及制得的半导体器件。方法包括下列步骤：步骤a：在GaAs衬底上生长InGaP牺牲层和GaAs转移层，步骤b：在所述GaAs转移层侧进行离子注入，使所述InGaP牺牲层内形成缺陷层...
常虎东孙兵刘洪刚金智刘新宇
源漏自对准的MOS器件及其制作方法
本发明公开了一种源漏自对准的MOS器件及其制作方法，该源漏自对准的MOS器件包括：单晶衬底层；在该单晶衬底上形成的III-V半导体层；在该III-V半导体层上形成的欧姆接触层；在该欧姆接触层上形成的低K介质层；刻蚀该欧姆...
刘洪刚常虎东卢力王虹薛百清孙兵
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一种锗纳米线叠层结构的制作方法
本发明公开了一种锗纳米线叠层结构的制作方法，该方法包括：在单晶衬底表面交替外延单晶锗硅层与锗层；对锗硅层与锗层进行光刻和刻蚀，获得锗硅线条／锗线条的周期结构；在纯氧气氛下对锗硅线条／锗线条的周期结构进行氧化，将锗硅层中的...
王盛凯刘洪刚孙兵常虎东赵威
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一种砷化镓表面形貌控制方法
本发明公开了一种砷化镓表面形貌控制方法，包括如下步骤：步骤1：将待刻蚀表面形貌的砷化镓样品置于真空室中，然后向真空室内充入氧分压气体；步骤2：调节氧分压，根据氧分压将真空室升温至对应温度，使砷化镓与氧分子在高温低压工作区...
王盛凯刘洪刚孙兵
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