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于国浩

作品数：114 被引量：34H指数：3
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
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共 32 条 记 录，以下是 1-10
张宝顺
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：二维电子气 电极 HEMT器件 衬底 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蔡勇
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：二维电子气 HEMT器件 氮化物 半导体表面 介质层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋亮
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：HEMT器件 二维电子气 氮化物 增强型 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
付凯
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：增强型 二维电子气 GAN HEMT器件 HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张晓东
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：氧化镓 电极 二维电子气 势垒层 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张志利
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：HEMT HEMT器件 二维电子气 增强型 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邓旭光
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：MOCVD GAN 增强型 ALN 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王越
供职机构：中国科学院
研究主题：二维电子气 氮化物 半导体表面 介质层 电流崩塌效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董志华
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：二维电子气 氮化物 半导体表面 介质层 电流崩塌效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
范亚明
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：MOCVD GAN 衬底 CVD设备 工件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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