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张晓东: 作品数：77 被引量：29H指数：3; 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金北京市自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>

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复合栅介质对AlGaN/GaN MISHEMT器件性能的影响被引量：2: 2018年; 由于LPCVD-Si3N4具有良好的介电特性,常用作AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管（HEMT）的栅介质,然而在高温生长中,易造成GaN界面Ga和N的扩散。针对此问题,提出了一种采用SiON/Si3N4复合绝缘材料作为HEMT器件栅介质的方法,制备了高质量的AlGaN/GaN金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管（MISHEMT）器件,并进行了直流测试。测试结果表明,在栅压为18 V时,器件的阈值回滞仅为150 mV,其特征导通电阻为1. 74 mΩ·cm^2（Vgs=2 V）,其击穿电压达到805 V （Ids=100μA/mm）。多频率C-V测试显示,界面态密度可低至2. 9×10^13eV^-1·cm^-2。因此,这种采用SiON/Si3N4复合绝缘材料作为栅介质的方法,在改善器件的阈值回滞、击穿电压和界面态密度等方面效果显著。; 张佩佩张辉张辉张晓东于国浩宋亮宋亮张宝顺; 关键词：ALGAN/GAN 界面态

半导体制冷结构及其于SMAR温漂校正领域的用途: 本发明公开了一种半导体制冷结构及其于SMAR温漂校正领域的用途。所述半导体制冷结构，包括主要由至少一个P型半导体和至少一个N型半导体电连接组成的回路，所述P型半导体包括一个以上共振态掺杂的P型AlGaN/GaN超晶格结构...; 王哲明范亚明陈扶黄宏娟赵佳豪云小凡张晓东张宝顺

具有原位栅介质的AlGaN/GaN异质结器件及其制作方法: 本发明公开了一种具有原位栅介质的AlGaN/GaN异质结器件及其制造方法。该器件包括形成于衬底上的AlGaN/GaN异质结构及源、漏和栅极，且该异质结构上还原位外延生长有用作栅介质的BN薄膜或者BAlN薄膜。该制造方法包...; 张晓东范亚明蔡勇张宝顺; 文献传递

GaN基横向超结器件及其制作方法: 本发明公开了一种GaN基横向超结器件及其制作方法。所述横向超结器件包括异质结以及与异质结配合的源极、漏极和栅极，异质结包含第一半导体和第二半导体，第二半导体形成在第一半导体上，异质结中形成有二维电子气，源极与漏极通过二维...; 张晓东张辉张佩佩于国浩张宝顺; 文献传递

GaN基T型栅高频器件及其制备方法和应用: 本发明公开了一种GaN基T型栅高频器件及其制备方法和应用。所述GaN基T型栅高频器件包括：异质结，其包括第一半导体和形成于第一半导体上的第二半导体，第二半导体具有宽于第一半导体的带隙，且异质结中形成有二维电子气；形成于异...; 张晓东张辉张佩佩于国浩蔡勇张宝顺; 文献传递

UMOSFET器件及提高UMOSFET器件性能的方法: 本发明公开了一种UMOSFET器件及提高UMOSFET器件性能的方法。所述β‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>UMOSFET器件包括外延结构以及与所述外延结构配合的源极、漏极和栅极，所述外延结构包括...; 马永健唐文博查强张晓东张宝顺

一种GaN基HEMT器件及其制作方法: 提供了一种GaN基HEMT器件及其制作方法，所述制作方法包括：在衬底上制作形成h‑BN薄膜；在h‑BN薄膜上制作形成金刚石薄膜；在金刚石薄膜上制作形成GaN基HEMT外延结构；在GaN基HEMT外延结构上制备电极；机械剥...; 范亚明冯家驹张晓东于国浩邓旭光张宝顺; 文献传递

薄膜体声波谐振器及其制作方法: 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制作方法。所述制作方法包括：在SOI衬底的第一表面上制作下电极；在所述SOI衬底的第一表面和下电极上形成压电层；在所述压电层上形成顶电极；于SOI衬底的第二表面上加工形成空气腔，所述第...; 张晓东于伦林文魁张宝顺; 文献传递

纳米线单片外延集成结构、制作方法与应用: 本发明揭示了一种纳米线单片外延集成结构，包括衬底以及形成于衬底上纳米线阵列，纳米线阵列包括多种材料/多种功能的纳米线，该多种材料/多种功能的纳米线沿衬底表面横向并列分布。本发明揭示了一种纳米线单片外延集成结构的制作方法，...; 李军帅张晓东张宝顺曹旭; 文献传递

氧化镓垂直结构半导体电子器件及其制作方法: 本发明公开了一种氧化镓垂直结构半导体电子器件及其制备方法。所述的氧化镓垂直结构半导体电子器件包括依次设置的缓冲层、电流阻挡层和沟道层，所述电流阻挡层内还分布有经离子注入的方式处理形成的电流通孔，所述沟道层上设置有源极和栅...; 张晓东李军帅张丽邓旭光范亚明张宝顺; 文献传递