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邢波

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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>

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  • 3个等离子体处理
  • 3个等离子体刻蚀

机构

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地区

  • 6个北京市
共 6 条 记 录，以下是 1-6
季安
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：湿法腐蚀 MEMS压力传感器 干法刻蚀 自对准 淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨富华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：淀积 相变存储器 电极 纳米尺寸 谐振器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
余和军
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：波导 分束器 测量方法 SOI 光输出
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
余金中
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：SOI 光开关 硅基 波导 多模干涉耦合器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王晓东
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：淀积 相变存储器 纳米尺寸 相变材料 微装配
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
樊中朝
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：刻蚀 干法刻蚀 碳化硅 SOI 多模干涉耦合器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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