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余和军

作品数：12 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 9篇波导
  • 4篇分束器
  • 3篇晶格
  • 3篇晶格结构
  • 3篇光波
  • 3篇光波导芯片
  • 3篇光输出
  • 3篇光纤
  • 3篇SOI
  • 3篇测量方法
  • 2篇透镜
  • 2篇透镜成像
  • 2篇透镜光纤
  • 2篇凸透镜
  • 2篇凸透镜成像
  • 2篇芯片
  • 2篇晶体
  • 2篇光子
  • 2篇光子晶体
  • 2篇CVD

机构

  • 12篇中国科学院

作者

  • 12篇余和军
  • 11篇余金中
  • 7篇陈少武
  • 3篇屠晓光
  • 3篇徐学俊
  • 2篇樊中朝
  • 2篇邢波
  • 1篇李智勇
  • 1篇李运涛
  • 1篇陈绍武
  • 1篇黄庆忠
  • 1篇夏金松

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 2篇2009
  • 3篇2008
  • 4篇2007
  • 3篇2006
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
面向硅基光互连应用的无源光子集成器件研究进展被引量：1
2009年
光互连是突破传统微电子IC性能瓶颈的重要技术手段,对推进"后摩尔时代"微电子技术的发展和高性能计算技术的实现具有关键性意义。本文在归纳总结不同层次光互连结构特点的基础上,对片上光互连(on-chip or intra-chip optical interconnects)所涉及的若干种无源光子集成器件的设计制备及性能特点进行了分析介绍,这些器件包括SOI亚波长光子线波导、SOI光子晶体波导、MMI分束/合束器、微环/微盘谐振腔滤波器、光子晶体微腔耦合滤波器、光子晶体反射镜等,是硅基片上光互连的基本构成单元。本文对这些关键性光子集成器件的国内最新研究进展进行了报道。
陈少武余金中徐学俊黄庆忠余和军屠晓光李运涛
硅基微纳光子器件制备工艺问题及解决方案
本文讨论硅基微钠光子器件制备过程中涉及的几个导ICP-RIE刻蚀的侧壁粗糙问题;光栅及MOS绝缘栅氧化硅填充致密问题.这些问题影响器件的结构均匀性、波导传输损耗、光栅的散射损耗以及MOS绝缘栅的绝缘性能.在分析实验结果的...
陈少武屠晓光余和军樊中朝徐学俊余金中
关键词：CVD
文献传递
短小光波导芯片的测量方法
一种短小光波导芯片的测量方法，是使用由激光器、输入透镜光纤、芯片、凸透镜、显示屏、输出透镜光纤和探测设备组成的设备进行的测量，包括：首先对经解理露出了波导端面的芯片用粘合剂粘在一段反光的材料上；在芯片的输入端采用输入透镜...
余和军余金中邢波
文献传递
SOI光子晶体及其光子器件的研究
随着微电子芯片特征尺寸的不断减小和集成度不断提高，集成电路中的功耗和互联延迟问题日益成为制约其进一步发展的障碍，有竞争力的解决方案是采用功耗更低、速度更快的光子芯片部分替代电子芯片。同时，芯片产业对硅材料和工艺的巨大投入...
余和军
关键词：光子晶体
全电子束光刻制造二维光子晶体波导器件解决方案(英文)
2006年
以光子晶体Fabry-Perot腔为例,提出了全电子束光刻制作光子晶体波导器件的解决方案.曝光光子晶体区域时采用较小的曝光步长,同时引入额外的邻近效应补偿本征邻近效应,从而获得高质量的掩模图形.曝光较长的输入、输出波导时,采用较大的曝光步长以提高电子束扫描速度,同时在波导的写场(write-field)过渡区引入一个锥形波导以减小写场拼接误差对光传输效率的影响.实验结果证明,这种方法既能保持小孔制作需要的高精度,也能很大程度上提高光刻效率.
余和军余金中陈绍武
关键词：光子晶体电子束光刻邻近效应校正
一种基于SOI的光子晶体分束器及制法
本发明涉及基于SOI材料的光子晶体分束器，包括一SOI材料衬底，在SOI衬底刻蚀产生硅柱，该硅柱呈正方晶格或六方晶格排列，硅柱高度为SOI顶层硅的厚度，在完整晶格结构中省去一行硅柱分别形成分束器的输入波导、两路输出波导；...
余和军余金中陈少武
文献传递
短小光波导芯片的测量方法
一种短小光波导芯片的测量方法，是使用由激光器、输入透镜光纤、芯片、凸透镜、显示屏、输出透镜光纤和探测设备组成的设备进行的测量，包括：首先对经解理露出了波导端面的芯片用粘合剂粘在一段反光的材料上；在芯片的输入端采用输入透镜...
余和军余金中邢波
文献传递
一种制作容差和可用带宽范围大的光子晶体分束器
本实用新型涉及基于SOI材料的光子晶体分束器，包括一SOI材料衬底，在SOI衬底刻蚀产生硅柱，该硅柱呈正方晶格或六方晶格排列，硅柱高度为SOI顶层硅的厚度，在完整晶格结构中省去一行硅柱分别形成分束器的输入波导、两路输出波...
余和军余金中陈少武
文献传递
硅基微纳光子器件制备工艺问题及解决方案
2007年
讨论了硅基微纳光子器件制备过程中涉及的几个关键工艺问题,包括:电子束/光学光刻的电子束/光学邻近效应;纳米线光波导ICP-RIE刻蚀的侧壁粗糙问题;光栅及MOS绝缘栅氧化硅填充致密度问题.这些问题可影响器件的结构均匀性、波导传输损耗、光栅的散射损耗以及MOS绝缘栅的绝缘性能.在分析实验结果的基础上,提出了一些解决方案.
陈少武屠晓光余和军樊中朝徐学俊余金中
关键词：CVD
一种模拟倾斜折射率界面光波导的新方法被引量：3
2006年
针对传统离散格式下,束传播方法(BPM)模拟倾斜折射率界面出现的问题,提出了一种简明且易于编程实现的改进方案.在横向上,通过坐标系变换和插值处理,以新颖的7点差分格式代替传统的5点差分方式;在纵向上,以四阶显式Runge_Kutta方法(RKBPM)代替二阶Crank_Nicholson算法(CNBPM),避免了求解不规则矩阵方程,从而使计算效率显著提高.
余和军夏金松余金中
关键词：束传播方法RUNGE-KUTTA方法脊形波导
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