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苏永波

作品数：58 被引量：24H指数：3
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金智
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：石墨烯 金属 场效应晶体管 光刻胶 电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘新宇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 欧姆接触 衬底 ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
丁芃
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 INP基 溶胶-凝胶法 电路 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
程伟
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：INP DHBT HBT 磷化铟 光刻胶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王显泰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：INGAP/GAAS_HBT 功率放大器 磷化铟 金属 INP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汪宁
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：减薄 研磨工艺 光刻胶 化学机械抛光 抛光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
姚鸿飞
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：毫米波 全相参 W波段 磷化铟 INP基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
常虎东
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：衬底 沟道 界面态密度 迁移率 半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘洪刚
供职机构：桂林电子科技大学
研究主题：沟道 迁移率 衬底 半导体器件 硅基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙兵
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：迁移率 沟道 锗 硅基 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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