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胡炜杰

作品数：7 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

领域

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机构

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资助

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传媒

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地区

  • 11个北京市
共 11 条 记 录，以下是 1-10
赵有文
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：磷化铟 单晶生长 半绝缘 砷化铟 ZNO单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨俊
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：单晶生长 砷化铟 磷化铟 INP 半绝缘
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董志远
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：单晶生长 磷化铟 ZNO单晶 ZNO INP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
段满龙
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：单晶生长 磷化铟 单晶 衬底 INP单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王应利
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：衬底 砷化铟 INAS INP 氧化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙文荣
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：磷化铟 INP 半绝缘 INAS GASB
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘刚
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：衬底 INP单晶 单晶生长 磷化铟 INP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王俊
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体激光器 衬底 硅衬底 电极接触 波导
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李巍巍
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化铝 发光特性 单晶生长 离子注入 荧光强度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张金利
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：衬底 INP 单晶材料 磷化铟 完整性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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