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对砷化铟中III族铟和V族砷氧化物的检验方法及定量方法: 本公开提供一种对砷化铟中III族铟和V族砷氧化物的检验方法及定量方法，该检验方法包括：S1，将砷化铟衬底置于柠檬酸溶液中进行第一次腐蚀，再用去离子水冲洗；其中，砷化铟衬底表面形成有自然氧化层；S2，将S1所得的砷化铟衬底...; 刘丽杰赵有文王俊王应利杨俊卢伟刘京明卢超谢辉

一种控制砷化铟中Ⅲ族铟和Ⅴ族砷氧化物的方法: 本公开提供一种控制砷化铟中III族铟和V族砷氧化物的方法，包括：S1，将砷化铟晶体采用多线切割进行多片分离，得到砷化铟单晶片；S2，对砷化铟单晶片进行研磨；S3，采用化学机械抛光对S2所得的砷化铟单晶片进行平坦化处理；S...; 刘丽杰赵有文王俊王应利杨俊卢伟卢超

高质量InAs单晶材料的制备及其性质被引量：4: 2006年; 利用液封直拉法(LEC)生长了直径50mm〈100〉和〈111〉晶向的InAs单晶.分析研究了n型杂质Sn,S和p型杂质Zn,Mn的分凝特性、晶格硬化作用、掺杂效率等.利用X射线双晶衍射分析了晶体的完整性.对InAs晶片的抛光、化学腐蚀和清洗进行了分析,在此基础上实现了抛光晶片的开盒即用(EPI-READY).; 赵有文孙文荣段满龙董志远杨子祥吕旭如王应利; 关键词：砷化铟掺杂抛光

低位错密度4 inchGaSb(100)单晶生长及高质量衬底制备被引量：2: 2017年; 采用液封直拉法(LEC)生长了4 inch直径(100)GaSb单晶并进行了衬底晶片的加工制备。通过优化热场,可重复生长出非掺和掺Te整锭(100)单晶,单晶锭的重量为5~8 kg,成晶率可达80%以上。4 inch(100)晶片大部分区域的位错腐蚀坑密度小500 cm^(-2) ,其(004)双晶衍射峰的半峰宽为29弧秒,表明晶片衬底的完整性相当好。晶体生长过程中固液界面较为平坦,因而晶片表现出良好的横向电学均匀性。经研磨和机械化学抛光,制备出具备良好平整度和表面粗糙度的开盒即用衬底晶片。通过控制本征受主缺陷浓度和掺杂浓度,制备出具有良好近红外透光率的n型GaSb单晶衬底。; 杨俊段满龙卢伟刘刚高永亮董志远王俊杨凤云王凤华刘京明谢辉王应利卢超赵有文; 关键词：单晶衬底

化学配比对InP和InAs单晶完整性及衬底表面制备的影响: 通过对熔体化学配比、热场和生长条件进行优化控制,有效地避免了晶体中产生团状、线状等高密度位错聚集结构,利用液封直拉法获得了多种电学掺杂的高质量InP和InAs单晶材料。InP单晶的直径为2-4英寸、InAs单晶直径为2-...; 赵有文孙文荣段满龙董志远胡炜杰杨俊张金利王应利刘刚; 关键词：单晶材料抛光表面磷化铟; 文献传递

InAs单晶衬底的表面形貌和化学成分分析被引量：2: 2010年; 利用原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)分别研究了InAs单晶抛光片的表面形貌和化学构成。结果表明:机械化学抛光工艺条件和清洗腐蚀过程对InAs单晶抛光片表面的化学组分构成和表面粗糙度有很大的影响。通常情况下,InAs单晶抛光片的表面氧化层中含有In2O3、As2O5、As2O3及元素As,而随着As的挥发,使抛光片表面化学计量比明显富铟。通过适当的化学处理控制其表面的化学组分,减小了表面粗糙度,从而获得材料外延生长所要求的开盒即用InAs单晶衬底。; 胡炜杰赵有文段满龙王应利王俊; 关键词：衬底

4 inch低位错密度InP单晶的VGF生长及性质研究被引量：1: 2017年; 采用高压垂直温度梯度凝固法(VGF)生长了非掺、掺硫和掺铁的4 inch直径(100)InP单晶,获得的单晶的平均位错密度均小于5000 cm^(-2)。对4 inch InP晶片上进行多点X-射线双晶衍射测试,其(004)X-射线双晶衍射峰的半峰宽约为30弧秒且分布均匀。与液封直拉法(LEC)相比,VGF-InP单晶生长过程的温度梯度很低,导致其孪晶出现的几率显著增加。然而大量晶体生长结果表明VGF-InP晶锭上出现孪晶后,通常晶体的生长方向仍为(100)方向,这确保从生长的4 inch VGF-InP(100)晶锭上仍能获得相当数量的2~4 inch(100)晶片。由于铁在InP中的分凝系数很小,掺Fe-InP单晶VGF生长过程中容易出现组份过冷,导致多晶生长。通过控制生长温度梯度及掺铁量,可获得较高的掺铁InP单晶成晶率。对VGF-InP单晶的电学性质、位错密度及位错的分布特点、晶体完整性等进行了研究。; 赵有文段满龙卢伟杨俊董志远刘刚高永亮杨凤云王风华王俊刘京明谢辉王应利卢超; 关键词：孪晶

高质量化合物InP、GaSb和InAs开盒即用单晶衬底制备: 通过对液封直拉法热场和生长条件的优化控制,降低晶体生长过程所受的热应力,有效地避免了晶体中产生团状、线状等高密度位错聚集结构,获得了高质量的2英寸和3英寸直径InP、GaSb和InAs单晶。用X-射线衍射摇摆曲线分析了晶...; 赵有文杨凤云段满龙孙文荣董志远杨俊胡炜杰刘刚王俊王应利; 关键词：GASB单晶 INP单晶

半绝缘磷化铟中与非化学配比有关的深能级缺陷(英文)被引量：3: 2004年; 在不同的化学配比条件下制备了半绝缘磷化铟材料 ,其中包括配比和富铟熔体中的铁掺杂以及磷气氛和磷化铁气氛下高温退火非掺杂晶片。在这些半绝缘磷化铟材料中检测到了与非化学配比有关的深能级缺陷。通过对大量的原生掺铁和非掺退火半绝缘磷化铟材料中的缺陷的研究 ,发现原生深能级缺陷与材料的电学参数质量密切相关。迁移率低、热稳定性差的掺铁半绝缘磷化铟材料中有大量的能级位于 0 .1～ 0 .4eV之间的缺陷。高温退火非掺磷化铟抑制了这些缺陷的产生 ,获得了迁移率高、均匀性好的高质量半绝缘材料。根据这些结果 ,我们提出了一种通过控制化学配比制备高质量半绝缘磷化铟材料的方法。; 赵有文董志远段满龙孙文荣杨子祥吕旭如王应利; 关键词：深能级缺陷

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王应利