段满龙
- 作品数：31 被引量：52H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺更多>>
- 提高(100)晶向磷化铟单晶的成晶率和质量的研究被引量：8
- 2003年
- 通过对高压液封直拉法单晶生长过程的热传输和影响熔体温度起伏的几个关键因素的分析,研究适合生长(100)晶向磷化铟单晶的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率,重复地生长出了整锭掺硫和掺铁的、直径为50mm和76mm的(100)磷化铟单晶。测试结果表明我们生长(100)磷化铟单晶的热场在生长过程中使晶锭保持较为平坦的固液界面,可稳定地获得具有低的缺陷密度和良好的电学均匀性的高质量磷化铟单晶材料。
- 赵有文段满龙孙文荣杨子祥焦景华赵建群曹慧梅吕旭如
- 关键词：磷化铟单晶孪晶固液界面半导体材料
- 化合物InP、GaSb和InAs单晶材料的缺陷控制及高质量衬底制备
- 赵有文孙文荣段满龙董志远杨子祥王应利
- 文献传递
- 动态控制高温炉内压力的方法
- 本发明涉及新材料技术领域，特别是一种在高温升华法生长AlN体单晶的过程中，精确动态地控制高温炉内压力的方法。本方法的具体步骤为：在升温过程中，使压力电子控制器和微压压力变送器处于关闭状态，打开质量流量计并设定一定的流量。...
- 董志远赵有文杨俊段满龙
- 文献传递
- 高质量InAs单晶材料的制备及其性质被引量：4
- 2006年
- 利用液封直拉法(LEC)生长了直径50mm〈100〉和〈111〉晶向的InAs单晶.分析研究了n型杂质Sn,S和p型杂质Zn,Mn的分凝特性、晶格硬化作用、掺杂效率等.利用X射线双晶衍射分析了晶体的完整性.对InAs晶片的抛光、化学腐蚀和清洗进行了分析,在此基础上实现了抛光晶片的开盒即用(EPI-READY).
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- 关键词：砷化铟掺杂抛光
- 3英寸InAs单晶生长及衬底制备
- 通过改进热场和单晶生长技术，利用液封直拉法(LEC)生长了直径3英寸<100>晶向的InAs单晶。对晶体进行了霍尔测试(Hall)、X射线双晶衍射晶体的完整性分析以及晶体的位错密度(EPD)测量分析。
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- 关键词：单晶生长
- 文献传递
- InAs单晶衬底的表面形貌和化学成分分析被引量：2
- 2010年
- 利用原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)分别研究了InAs单晶抛光片的表面形貌和化学构成。结果表明:机械化学抛光工艺条件和清洗腐蚀过程对InAs单晶抛光片表面的化学组分构成和表面粗糙度有很大的影响。通常情况下,InAs单晶抛光片的表面氧化层中含有In2O3、As2O5、As2O3及元素As,而随着As的挥发,使抛光片表面化学计量比明显富铟。通过适当的化学处理控制其表面的化学组分,减小了表面粗糙度,从而获得材料外延生长所要求的开盒即用InAs单晶衬底。
- 胡炜杰赵有文段满龙王应利王俊
- 关键词：衬底
- InP单晶锭退火处理方法
- 一种InP单晶锭退火处理方法，包括如下步骤：步骤1：将生长出的InP单晶表面用去离子水清洗，去掉残留的氧化硼；步骤2：然后用有机溶剂擦洗，用去离子水冲洗后晾干待用；步骤3：准备石英管和封泡，用王水浸泡后去离子水冲洗干净，...
- 赵友文段满龙
- 文献传递
- 氧化锌体单晶生长过程中的直接掺杂方法
- 本发明涉及新材料技术领域，特别是利用闭管式化学气相传输法生长氧化锌(ZnO)体单晶的过程中，生长出可控掺杂的氧化锌体单晶的方法。闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法是在封闭的石英管内，一端放置高纯ZnO粉作为源及少量的高...
- 董志远赵有文杨俊段满龙
- 文献传递
- 闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法
- 本发明涉及微电子和光电子用化合物半导体材料制备技术领域，特别是一种闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法。在封闭的石英管内，一端放置高纯ZnO粉作为源，另一端放置籽晶，通过控制源区与生长区的温度分布实现气相传输，生长ZnO...
- 赵有文董志远段满龙魏学成
- 文献传递
- 升华法生长AlN体单晶初探被引量：10
- 2006年
- 研究了高温升华法(PVT)生长AlN体单晶的技术和材料的性质.使用陶瓷BN坩埚,加热温度约在1900℃左右,生长结果为AlN晶须或致密多晶,难以生长出较大的AlN晶粒.用钨坩埚加热生长温度达到2200℃左右时,在AlN陶瓷片和6H-SiC片上生长了直径22mm的AlN晶体,最大的晶粒尺寸长10mm、直径5mm.利用X射线粉末衍射分析了几种不同AlN样品的结构和组成.讨论了PVT法生长AlN晶体所涉及的化学热力学过程和现象.
- 赵有文董志远魏学成段满龙李晋闽
- 关键词：氮化铝晶体
