孙文荣
- 作品数：15 被引量：18H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 提高(100)晶向磷化铟单晶的成晶率和质量的研究被引量：8
- 2003年
- 通过对高压液封直拉法单晶生长过程的热传输和影响熔体温度起伏的几个关键因素的分析,研究适合生长(100)晶向磷化铟单晶的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率,重复地生长出了整锭掺硫和掺铁的、直径为50mm和76mm的(100)磷化铟单晶。测试结果表明我们生长(100)磷化铟单晶的热场在生长过程中使晶锭保持较为平坦的固液界面,可稳定地获得具有低的缺陷密度和良好的电学均匀性的高质量磷化铟单晶材料。
- 赵有文段满龙孙文荣杨子祥焦景华赵建群曹慧梅吕旭如
- 关键词：磷化铟单晶孪晶固液界面半导体材料
- 化学配比对InP和InAs单晶完整性及衬底表面制备的影响
- 通过对熔体化学配比、热场和生长条件进行优化控制,有效地避免了晶体中产生团状、线状等高密度位错聚集结构,利用液封直拉法获得了多种电学掺杂的高质量InP和InAs单晶材料。InP单晶的直径为2-4英寸、InAs单晶直径为2-...
- 赵有文孙文荣段满龙董志远胡炜杰杨俊张金利王应利刘刚
- 关键词：单晶材料抛光表面磷化铟
- 文献传递
- 化合物InP、GaSb和InAs单晶材料的缺陷控制及高质量衬底制备
- 赵有文孙文荣段满龙董志远杨子祥王应利
- 文献传递
- 高质量InAs单晶材料的制备及其性质被引量：4
- 2006年
- 利用液封直拉法(LEC)生长了直径50mm〈100〉和〈111〉晶向的InAs单晶.分析研究了n型杂质Sn,S和p型杂质Zn,Mn的分凝特性、晶格硬化作用、掺杂效率等.利用X射线双晶衍射分析了晶体的完整性.对InAs晶片的抛光、化学腐蚀和清洗进行了分析,在此基础上实现了抛光晶片的开盒即用(EPI-READY).
- 赵有文孙文荣段满龙董志远杨子祥吕旭如王应利
- 关键词：砷化铟掺杂抛光
- 2英寸直径的半绝缘INP单晶
- 刘巽琅金盾叶式中孙文荣赵建群曹惠梅焦景
- ２英寸直径的半绝缘磷化铟单晶生长工艺计算了电阻率与掺铁量的关系；实验值与计算值符合较好，可避免过量铁的掺入；晶体位错密度低达每平方厘米２００００～５００００，且热稳定性良好；研究了掺铁量与铁沉淀物形成的关系；研究了等电子...
- 关键词：
- 关键词：磷化铟单晶半绝缘
- 磷化铟单晶衬底的缺陷控制和高质量表面制备被引量：3
- 2006年
- 分析研究了一些缺陷对InP单晶衬底的影响,包括团状结构位错的产生及其对晶格完整性的影响,坑状微缺陷、晶片抛光损伤和残留杂质的清洗腐蚀等.对这些缺陷的形成原因和抑制途径进行了分析.在此基础上获得了“开盒即用(EPI-READY)”、具有良好晶格完整性、表面无损伤的InP单晶衬底抛光片.
- 赵有文董志远孙文荣段满龙杨子祥吕旭如
- 关键词：磷化铟衬底抛光
- 空位和填隙缺陷对半绝缘InP单晶性质的影响
- 利用电学测试、正电子寿命谱和X-射线衍射研究了原生和退火处理后半绝缘InP单晶的空位、填隙缺陷.原生掺铁半绝缘InP单晶含有空位缺陷,这些空位产生深能级补偿缺陷,降低材料的电学性能.经高温磷化铁气氛下退火处理非掺InP制...
- 赵有文董志远吕小红段满龙孙文荣
- 关键词：磷化铟空位正电子寿命谱
- 文献传递
- 半绝缘磷化铟中与非化学配比有关的深能级缺陷(英文)被引量：3
- 2004年
- 在不同的化学配比条件下制备了半绝缘磷化铟材料 ,其中包括配比和富铟熔体中的铁掺杂以及磷气氛和磷化铁气氛下高温退火非掺杂晶片。在这些半绝缘磷化铟材料中检测到了与非化学配比有关的深能级缺陷。通过对大量的原生掺铁和非掺退火半绝缘磷化铟材料中的缺陷的研究 ,发现原生深能级缺陷与材料的电学参数质量密切相关。迁移率低、热稳定性差的掺铁半绝缘磷化铟材料中有大量的能级位于 0 .1～ 0 .4eV之间的缺陷。高温退火非掺磷化铟抑制了这些缺陷的产生 ,获得了迁移率高、均匀性好的高质量半绝缘材料。根据这些结果 ,我们提出了一种通过控制化学配比制备高质量半绝缘磷化铟材料的方法。
- 赵有文董志远段满龙孙文荣杨子祥吕旭如王应利
- 关键词：深能级缺陷
- 半绝缘InP中深能级缺陷对电学性质的影响和缺陷的控制被引量：2
- 2006年
- 综合深能级缺陷和电学性质的测试结果,证明了半绝缘InP单晶材料的电学性能、热稳定性、均匀性等性能与材料中一些深能级缺陷的含量密切相关.通过分析深能级缺陷产生的规律与热处理及生长条件的关系,给出了抑制缺陷产生,提高材料质量的途径.对缺陷的属性与形成机理进行了分析讨论.
- 赵有文董志远李成基段满龙孙文荣
- 关键词：磷化铟半绝缘
- 高质量化合物InP、GaSb和InAs开盒即用单晶衬底制备
- 通过对液封直拉法热场和生长条件的优化控制,降低晶体生长过程所受的热应力,有效地避免了晶体中产生团状、线状等高密度位错聚集结构,获得了高质量的2英寸和3英寸直径InP、GaSb和InAs单晶。用X-射线衍射摇摆曲线分析了晶...
- 赵有文杨凤云段满龙孙文荣董志远杨俊胡炜杰刘刚王俊王应利
- 关键词：GASB单晶INP单晶
