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樊中朝

作品数：68 被引量：105H指数：5
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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领域

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资助

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地区

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杨富华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：淀积 相变存储器 电极 纳米尺寸 相变材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王晓东
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：淀积 相变存储器 纳米尺寸 相变材料 微装配
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何志
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 刻蚀 欧姆接触 HEMT器件 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈少武
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：SOI 波导 刻蚀 硅基 光开关
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
余金中
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：SOI 光开关 硅基 英文 波导
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨香
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 硅基 刻蚀 相变存储器 沟槽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
贾利芳
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAN HEMT器件 肖特基接触 ALGAN/GAN 氮化物
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曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王章涛
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：多模干涉耦合器 SOI 光开关 多模干涉 光开关矩阵
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孙国胜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 4H-SIC SIC
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