李仪
- 作品数：9 被引量：8H指数：3
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 离子注入石英玻璃光波导的研究
- 1995年
- 在熔融石英玻璃衬底上，通过注入氮离子和硼离子，制成了低损耗、单模平面光波导．波导的最大折射率和离子浓度分布的半宽度分别是１．４８和０．５μｍ，波导损耗＜０．１ｄＢ／ｃｍ．
- 鲁平范俊清许承杰李仪
- 关键词：离子注入石英玻璃
- 半导体中稀土离子的掺入及其光电特性研究
- 1997年
- 光电集成的发展希望在硅基材料上获得有效的光发射。硅是间接带材料,带间跃迁的发光效率很低。三价稀土离子Er^(3+)在1.54μm的发射是标准的光通讯波长。用Er来掺杂Si是解决这一困难的可能途径之一。本研究用离子注入方法在Si及多孔硅中掺入Er,退火后在77K获得Er^(3+)的1.54μm发光,研究了发光特性及氧杂质的影响。 1.退火过程中晶体损伤恢复和Er剖面分布~[1,2] 沟道背散射分析表明Er离子注入后,通常在样品表面形成薄的非晶层,退火时非晶层以固相外延的方式再结晶并逐步向样品表面推进。Er在Si中的溶解度极小,当非晶一晶体界面扫过Er掺杂区时出现Er的偏析。过量的Er被扫向表面。
- 李仪
- 关键词：半导体稀土离子光电集成离子注入
- 稀土铒离子注入多孔硅的发光被引量：3
- 1996年
- 稀土离子Ｅｒ注入多孔硅中．在３５０ｋｅＶ能量，１×１０（１２）～１×１０（１５）／ｃｍ２剂量范围内，注入后的多孔硅仍保持明亮的可见光发射．退火后，在近红外区测到１．５４μｍ附近Ｅｒ（３＋）的特征发射．其发射强度比硅单晶对照样品明显增强，实验表明这增强作用来源于多孔硅的表面发光层．电化学制备过程中在表面层中带入的Ｏ、Ｃ、Ｆ等多种杂质可能是Ｅｒ（３＋）发光增强的原因．
- 李仪周咏东李菊生蒋红金亿鑫
- 关键词：多孔硅发光离子注入铒
- 氧和铒共注入硅的卢瑟福背散射和发光研究
- 1996年
- 将铒和氧共注人硅中,卢瑟福背散射分析表明,退火后铒的分布剖面因共注入氧的剂量而异。在高氧剂量下,退火后铒保持退火前的剖面不变,样品再结晶良好。在中等氧剂量下,退火后铒的分布剖面出现双峰。认为退火过程中形成了铒—氧复合物。复合物的形成减缓了铒的偏析和扩散,影响了铒的削面再分布。铒和氧离子注入剂量的系列实验证实了氧在Er^(3+)发光中有重要作用。
- 李仪宋航曹望和李菊生金亿鑫如菲孟鸣岐刘向东
- 关键词：铒硅发光
- Er离子注入GaP,GaAs,InP的二次离子质谱(SIMS)的研究
- 1994年
- 近年来掺稀土元素的Ⅲ—V族化合物研究在基础物理和器件应用方面都越来越引起人们的关注,其中又由于Er3+的4I13/2—4I——（15/2）的特征发光波长为1.54μm,恰好对应于石英光纤的低损耗区,且离子注入技术简单易行,因而倍受重视.国际上已报道了不少有关Er注入Ⅲ—V族化合物的研究,大多选用较低的注入剂量(约1012～1014Er/cm2),而对较高剂量的注入有待于进一步研究.
- 陈辰嘉王学忠周必忠陈世帛雷红兵李仪李菊生BottazziP
- 关键词：离子注入铒二次离子质谱
- 注入Si中的稀土离子Er^（3＋）的光学特性被引量：3
- 1994年
- 用离子注入方法，将稀土离子Ｅｒ３＋注入到ｎ－Ｓｉ单晶中，通过对其低温（７７Ｋ）光致发光光谱的测量，研究其光学特性．结果表明，注入剂量控制在１×１０１２ｃｍ－２～１×１０１５ｃｍ－２范围，退火温度控制在９００℃～１１００℃时，样品的主要发光峰值位于１．５４μｍ左右．研究了样品的光致发光光谱随注入剂量、退火温度的变化关系，给出峰值在１．５４μｍ附近的未分辨开的谱线的半宽为１６．４ｍｅＶ．
- 蒋红李菊生李仪金亿鑫刘学彦
- 关键词：离子注入光致发光铒离子
- 氧对Er离子注入Si发光的影响被引量：2
- 1995年
- 硅中掺杂三价稀土离子Er给出1.54μm波段的近红外发光的研究受到人们的重视.这一方面由于这一发射波段恰好落在石英光纤的最低损耗波段;另一方面由于硅器件集成工艺的成熟与完善为光电集成提供了坚实的技术基础.近来人们研究发现,Si中的氧杂质对增强离子注入Er^(3+)的发光有利,同时发现其它一些电负性较大,质量较轻的负离子也会增强Er^(3+)的发光.本文研究了Si中离子注入Er和氧的发光特性,首次报道了氧离子单一注入Si在1.60μm附近存在一宽带发射,并且讨论了Er、氧共注入Si中氧对Er^(3+)发光的影响.
- 宋航李菊生李仪蒋红刘学彦金亿鑫
- 关键词：离子注入光致发光氧铒
- 稀土Er离子注入InP的退火及发光特性
- 1994年
- 利用离子注入法，以７×１０１４／ｃｍ２和１×１０１５／ｃｍ２的剂量对ＩｎＰ进行稀土元素Ｅｒ的掺杂，采用了两种未加淀积膜覆盖的退火方式，在１０Ｋ下均观测到ＩｎＰ中Ｅｒ３＋１．５４μｍ特征光致发光峰．光致发光（ＰＬ）和反射式高能电子衍射给出发光强度和晶格恢复程度与退火条件的依赖关系，结果表明Ｅｒ３＋在ＩｎＰ中的光激活性在很大程度上取决于ＩｎＰ晶格的恢复．
- 章蓓陈孔军王舒民丁晓民虞丽生郑婉华徐俊英李仪
- 关键词：磷化铟稀土元素离子注入发光
- Er离子注入多孔硅的发光被引量：3
- 1995年
- 硅是最重要的半导体材料,在微电子领域有着广泛的应用.室温下硅的禁带宽度为1.11 eV,相应的发光波长为1.14μm.在近红外波段,硅是间接带材料,发光效率很低,无法在光电子领域实际应用.近年来,人们用稀土离子Er掺入硅中,获得了Er^(3+)离子在1.54μm的近红外发光.这正是光纤传输的最低损耗波段.在掺Er的硅基材料上能否获得有实用功率的发光或激光器件,人们对此表现了极大兴趣.然而。
- 李仪蒋红周咏东李菊生金亿鑫
- 关键词：多孔硅发光铒离子注入硅
