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蒋红

作品数：22 被引量：25H指数：3
供职机构：中国科学院长春物理所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划德国洪堡基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 16篇电子电信
  • 4篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 6篇发光
  • 5篇红外
  • 4篇离子注入
  • 4篇光致
  • 4篇光致发光
  • 3篇异质结
  • 3篇探测器
  • 3篇金刚石
  • 3篇金刚石膜
  • 3篇合金
  • 3篇刚石
  • 3篇半导体
  • 3篇硅
  • 3篇铒
  • 3篇ER
  • 3篇GASB
  • 3篇MOCVD生...
  • 2篇多孔硅
  • 2篇锑化镓
  • 2篇稀土

机构

  • 22篇中国科学院长...
  • 2篇吉林大学

作者

  • 22篇金亿鑫
  • 22篇蒋红
  • 17篇周天明
  • 17篇张宝林
  • 13篇宁永强
  • 8篇元光
  • 6篇宋航
  • 5篇金长春
  • 4篇李仪
  • 3篇荆海
  • 3篇李树伟
  • 2篇顾长志
  • 2篇孟强
  • 2篇刘学彦
  • 1篇张新夷
  • 1篇王惟彪

传媒

  • 8篇发光学报
  • 2篇科学通报
  • 2篇稀有金属
  • 1篇吉林大学自然...
  • 1篇Journa...
  • 1篇功能材料
  • 1篇高技术通讯
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇红外研究
  • 1篇1996年中...

年份

  • 2篇2000
  • 1篇1999
  • 4篇1997
  • 5篇1996
  • 3篇1995
  • 3篇1994
  • 1篇1993
  • 2篇1992
  • 1篇1989
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
消除相关气路流量波动的高精度质量流量控制设备
本实用新型属于一种在气体流量精确控制过程中,消除相关气路在调节改变某一气路和某几个气路气体流量时引起相关其它气路气体流量波动的一种装置。是在有单一公共运载气体源的气体流量精确控制设备中,增加一路装有一个通用的质量流量控器...
宋航周天明蒋红张宝林金亿鑫
文献传递
MOCVD法GaSb外延层特性研究被引量：1
1994年
报导了应用ＭＯＣＶＤ系统在半绝缘ＧａＡｓ和ｎ－ＧａＳｂ衬底上外延生长的非故意掺杂ＧａＳｂ外延层的特性。通过低温、变温光致发光和霍耳效应测定了ＧａＳｂ外延层的光学和电学性质。ＰＬ测量观察到两种主要的复合机制，Ｄ一Ａ对复合和束缚激子复合的发光，其峰值能量位置分别出现在７７５ｍｅＶ和８０３．７ｍｅＶ，束缚激子蜂（未分辨开的）的半宽度为１０．８ｍｅＶ。
蒋红金亿鑫周天明张宝林
关键词：锑化镓外延层MOCVD法
利用共溅射方法实现硅基材料上的纳米Ge的可见光发射
1995年
利用共溅射方法实现硅基材料上的纳米Ｇｅ的可见光发射元光，宋航，金亿鑫，张宝林，周天明，宁永强，蒋红，李树伟（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）如何实现硅基材料的发光，一直是很受重视的一个研究方向．以往是通过硅基外延生长直接带隙材料或锗硅超晶...
元光宋航金亿鑫张宝林周天明宁永强蒋红李树伟
关键词：硅基材料锗纳米
扫描透射电镜对GalnAsSb／GaSb异质结截面的研究被引量：2
2000年
报道了用STEM(扫描透射电子显微镜)对GaInAsSb／GaSb异质结的截面不同部分进行分析和研究的初步结果。STEM图像表明，在四元合金GaInAsSb与衬底GaSb的晶格常数不相同时，将会由于晶格的不匹配而产生失配位错和层错，这些缺陷是对应力的一种释放形式，包括60°位错、90°位错和堆垛层错，并且发现只有90°位错才会在外延层表面产生脊。
张子旸张宝林周天明蒋红金亿鑫李树玮F.Schulze-Kraasch
关键词：位错层错STEM
全文增补中
InAs和InAs/GaSb异质结的MOCVD生长和表征
1997年
以三甲基铟（ＴＭＩｎ）、砷烷（ＡｓＨ３）、三甲基镓（ＴＭＧａ）和三甲基锑（ＴＭＳｂ）为源，用水平常压ＭＯＣＶＤ技术，在较低的Ⅴ／Ⅲ比的条件下（１．５～４）于ＧａＡｓ和ＧａＳｂ衬底上成功地生长了ＩｎＡｓ合金和ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ异质结．实验表明，生长温度在５００℃～６２０℃范围内，ＩｎＡｓ外延生长是扩散控制的．在Ⅴ／Ⅲ比为２．５时，生长效率（相对Ⅲ族源）为３×１０３μｍ／ｍｏｌ．不掺杂ＩｎＡｓ外延层为ｎ型的，室温迁移率为２０００ｃｍ２／Ｖ．ｓ．ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ异质结的１２ＫＰＬ谱为一个在３７５ｍｅＶ处较宽的与杂质相关的跃迁峰。
周天明张宝林蒋红宁永强李树纬金亿鑫
关键词：异质结红外光电材料砷化铟锑化镓
p~+-GaInAsSb/p-GaInAsSb/n-GaSb异质结红外控测器
1996年
ＧａＩｎＡｓＳｂ是红外探测器中重要的半导体材料之一。我们用水平常压金属氧化物化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）技术在ｎ型ＧａＳｂ衬底上成功地生长了ＧａＩｎＡｓＳｂ外延层，用ＰＬ谱、红外吸收谱、Ｘ射线衍射和扫描电子超声显微镜（ＳｃａｎｎｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎＡｃｏｕｓｔｉｃＭｉｃｒｏｓｃｏｐｙ，ＳＥＡＭ）等实验手段对ＧａＩｎＡｓＳｂ外延层进行了表征。用ＧａＩｎＡｓＳｂ材料制作的红外探测器的光谱响应的截止波长达２．４μｍ，室温探测率Ｄ＊达１×１０９ｃｍＨｚ（１／２）／Ｗ，２．２５μｍ波长时的量子效率为３０％。本文首次给出了ＧａＩｎＡｓＳｂ外延层的扫描电子超声显微镜像（ＳＥＡＭ像），为扫描电子超声显微镜在半导体材料方面的应用开辟了一个新的领域。
李树玮金亿鑫张宝林周天明蒋红宁永强元光
关键词：红外探测器红外辐射
MOCVD—InP的低温光致发光光谱
1989年
包括深中心发光在内的MOCVD-InP的低温光致发光光谱,表明了非故意掺杂外延层较高的纯度,初步判別了可能引入的杂质,并证明了电学测量与光学测量的一致性。
舒占永杜明泽蒋红洪春荣元金山金亿鑫张新夷
关键词：光致发光光谱磷化铟MOCVD
MOCVD法GaInAsSb合金的红外吸收与光致发光谱
1994年
用红外吸收、光致发光技术研究了常压ＭＯＣＶＤ法未掺杂ＧａＩｎＡｓＳｂ合金的光学性质，用这两种方法测出的外延层禁带宽度与根据合金组分计算出的禁带宽度基本一致。在红外吸收谱与光致发光谱中观察到了低能带尾，并探讨了产生原因。
宁永强金亿鑫周天明张宝林蒋红
关键词：MOCVD法光学性质
用化学方法制备硅场发射阵列被引量：3
1996年
利用各向同性腐蚀液制备了硅微尖阵列。
元光金长春金亿鑫宋航荆海朱希玲张宝林周天明宁永强蒋红王惟彪
关键词：真空微电子场发射SEM
红外探测器
一种红外探测器,属于光探测器领域。本实用新型通过在材料生长过程中控制材料组分,生长出不掺杂的P－N结构,然后利用常规半导体器件工艺制成p<Sup>+</Sup>－p<Sup>－</Sup>－n<Sup>－</Sup>－n...
宁永强周天明张宝林蒋红金亿鑫
文献传递
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