宋航
- 作品数：18 被引量：18H指数：2
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- MOCVD生长GaN中带尾和激子发光特性研究
- 1998年
- 采用低压ＭＯＣＶＤ生长技术制备ＧａＮ，对其界面附近的发光特性及其温度行为进行了研究．实验表明界面附近ＧａＮ的发光呈一宽带发射．并对叠加于宽带发射上的尖锐发光峰及其温度行为进行了讨论．
- 宋航
- 关键词：激子MOCVD氮化镓发光特性
- ZnS ACELTF中不同Pr盐掺杂发光的特性讨论
- 宋航钟国柱
- 关键词：硫化锌发光中心发射谱镨激活剂
- 用弱场霍尔效应判断分子束外延Pb_(0.88)Sn_(0.12)Te/PbTe量子阱能带类型被引量：1
- 1990年
- 对分子束外延(MBE)法在BaF_2衬底上生长的N型Pb_(0.88)Sn_(0.12)Te/Pb Te多量子阱材料进行了变温(16～300K)弱场霍尔效应测量。通过分析霍尔系数判断Pb_(0.88)Sn_(0.12)Te/PbTe量子阱能带类型为Ⅰ型。由费密能级的位置估算PbTe导带边高于Pb_(0.88)Sn_(0.12)Te<111>方向能谷导带边约36meV。
- 史智盛陈伟立宋航杨慧傅义金亿鑫
- 关键词：PBTE
- ZnS:ErF_3和ZnS:HoF_3薄膜电致发光的亮度和色度被引量：1
- 1989年
- 研究了ZnS:ErF_3和ZnS:HoF_3两种材料制备的交流驱动的绿色电致发光薄膜(ACELTF)的发光亮度和色度与ErF_3和HOF_3掺杂浓度的关系。对于ZnS:ErF_3和ZnS:HoF_3,其最佳掺杂浓度分别为7×10^(-3)和2×10^(-3)mol/mol基质;获得的最高发光亮度分别为900cd/m^2和550cd/m^2。当ErF_3的掺杂浓度由3×10^(-4)mol/mol基质增至3×10^(-1)mol/mol基质时,ZnS:ErF_3薄膜的色座标(x,y值)由0.251,0.664变为0.392,0.586;当HOF_3的掺杂浓度由3×10^(-4)mol/mol基质增至1×10^(-1)mol/mol基质时,ZnS:HoF_3薄膜的色座标值由0.315,0.615变为0.472,0.521。
- 李长华孟立建宋航钟国柱
- 关键词：电致发光
- 全文增补中
- 消除相关气路流量波动的高精度质量流量控制设备
- 本实用新型属于一种在气体流量精确控制过程中,消除相关气路在调节改变某一气路和某几个气路气体流量时引起相关其它气路气体流量波动的一种装置。是在有单一公共运载气体源的气体流量精确控制设备中,增加一路装有一个通用的质量流量控器...
- 宋航周天明蒋红张宝林金亿鑫
- 文献传递
- 分子束外延PbTe/Pb_(0.88)Sn_(0.12)Te量子阱持续光电导与导带不连续
- 1992年
- 从理论和实验上研究了分子束外延生长的PbTe/Pb_(0.88)Sn_(0.12)Te多量子阱结构材料中的持续光电导过程.认为材料中持续光电导的衰减是依赖于隧穿协助的电子-深中心复合过程.理论计算与实验结果一致.通过对持续光电导衰减规律的理论拟合,得到了PbTe/Pb_(0.88)Sn_(0.12)Te量子阱材料的导带不连续值及两类能谷间的能量差.
- 宋航陈伟立史智盛傅义
- 关键词：分子束光电导性碲化铅
- 分子束外延高Mg掺杂GaN的发光特性被引量：2
- 1999年
- 采用分子束外延技术在蓝宝石衬底上制备Ｍｇ掺杂的立方相ｐ－ＧａＮ，并对其不同温度下的光致发光光谱进行了研究．实验观察到高Ｍｇ掺杂ＧａＮ中施主受主对发光的反常温度行为．理论分析表明，高Ｍｇ掺杂ＧａＮ中施主受主对的发光受到陷阱与受主间竞争俘获非平衡空穴过程和空穴隧穿输运过程的影响．
- 宋航Park S HKang T WKim T W
- 关键词：光致发光隧穿效应分子束外延氮化镓掺镁
- 氧和铒共注入硅的卢瑟福背散射和发光研究
- 1996年
- 将铒和氧共注人硅中,卢瑟福背散射分析表明,退火后铒的分布剖面因共注入氧的剂量而异。在高氧剂量下,退火后铒保持退火前的剖面不变,样品再结晶良好。在中等氧剂量下,退火后铒的分布剖面出现双峰。认为退火过程中形成了铒—氧复合物。复合物的形成减缓了铒的偏析和扩散,影响了铒的削面再分布。铒和氧离子注入剂量的系列实验证实了氧在Er^(3+)发光中有重要作用。
- 李仪宋航曹望和李菊生金亿鑫如菲孟鸣岐刘向东
- 关键词：铒硅发光
- 利用共溅射方法实现硅基材料上的纳米Ge的可见光发射
- 1995年
- 利用共溅射方法实现硅基材料上的纳米Ｇｅ的可见光发射元光，宋航，金亿鑫，张宝林，周天明，宁永强，蒋红，李树伟（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）如何实现硅基材料的发光，一直是很受重视的一个研究方向．以往是通过硅基外延生长直接带隙材料或锗硅超晶...
- 元光宋航金亿鑫张宝林周天明宁永强蒋红李树伟
- 关键词：硅基材料锗纳米
- 用化学方法制备硅场发射阵列被引量：3
- 1996年
- 利用各向同性腐蚀液制备了硅微尖阵列。
- 元光金长春金亿鑫宋航荆海朱希玲张宝林周天明宁永强蒋红王惟彪
- 关键词：真空微电子场发射SEM
