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王刚
作品数:
7
被引量:56
H指数:4
供职机构:
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
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发文基金:
“九五”国家科技攻关计划
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相关领域:
电子电信
理学
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合作作者
黄锡珉
北方液晶工程研究开发中心
杨柏梁
中国科学院长春物理所
赵超
吉林大学电子科学与工程学院
杨虹
中国科学院长春物理所
刘洪武
中国科学院长春物理所
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中国科学院长...
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作者
7篇
王刚
5篇
杨柏梁
5篇
黄锡珉
2篇
赵超
2篇
杨虹
2篇
刘洪武
1篇
王刚
1篇
王刚
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马凯
1篇
凌志华
1篇
袁剑峰
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李牧菊
1篇
吴渊
1篇
唐志勇
1篇
杨柏梁
1篇
刘传珍
传媒
4篇
液晶与显示
1篇
吉林大学自然...
年份
1篇
2000
6篇
1999
共
7
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一种低压驱动TFT液晶显示屏的方法
被引量:15
1999年
介绍了一种低压驱动 T F T 液晶屏的方法。它是通过变化每行的公共电压来实现的。数据驱动器的输出电压最高只须 5 V, 从而使 L S I数据驱动器的尺寸可以做得更小, 功耗也更低。
杨虹
王刚
唐志勇
凌志华
黄锡珉
金圣经
关键词:
薄膜晶体管
灰度级
低压驱动
显示屏
硅基TFT有源矩阵液晶显示技术
被引量:8
1999年
介绍了薄膜晶体管(TFT),特别是p-Si(多晶硅)TFT矩阵寻址液晶显示器的工作原理、结构、特点、制作工艺和电学特性。
刘传珍
杨柏梁
朱永福
李牧菊
袁剑峰
王刚
吴渊
刘洪武
黄锡珉
关键词:
多晶硅
薄膜晶体管
有源矩阵液晶显示
低阻高透过率ITO薄膜的制备与性能
被引量:19
1999年
研究了直流磁控溅射法制备的ITO薄膜的光电特性与溅射工艺参数的关系以及退火处理对ITO薄膜光电特性的影响。在低衬底温度、低溅射功率下获得了优质的ITO薄膜,可见光透过率高于85%,在厚度为100nm时其方块电阻在150~200Ω/□之间,并且ITO薄膜的制备工艺完全与AMLCD中TFT器件的制作工艺兼容。
王刚
王刚
王刚
杨柏梁
黄锡珉
关键词:
直流磁控溅射
TIO
透过率
真空退火
高品质a-Si:H TFT-LCD阵列设计与工艺研究
液晶显示是目前平板显示的主流,而a-Si TFT-LCD则是液晶显示领域中 的主导显示方式。 a-Si TFT-LCD具有高分辨率、全彩色,满足视频显示,显示品质优异等 ...
王刚
关键词:
局域态密度
ITO薄膜
文献传递
一种薄膜晶体管开关器件的制作方法
本发明公开了一种有源液晶显示器的薄膜晶体管开关器件制作方法。在氢化非晶硅(a-Si:H)有源层上用光刻方法制作一绝缘介质层,绝缘介质层为倒梯形结构和矩形结构,上边长等于栅电极宽度,也可以小于栅电极宽度,高度大于1.5倍的...
刘洪武
杨柏梁
王刚
朱永福
黄锡珉
马凯
文献传递
ITO退火膜的光学和电学特性
被引量:11
1999年
对不同氧流量下用直流磁控溅射法制备的ITO薄膜进行退火处理,并对退火后ITO薄膜的光电特性进行分析.结果表明,N2气氛下退火可以改善ITO薄膜的结晶性,同时使ITO薄膜质量得到优化,并显著提高ITO薄膜的透明性和电导性.
王刚
刘宏宇
赵超
杨柏梁
黄锡珉
关键词:
ITO薄膜
氧空位
光学特性
电学特性
高开口率TFTLCD的黑矩阵设计
被引量:2
1999年
提出了一种有效提高开口率的新型黑矩阵方式的设计思想。与传统黑矩阵相比, 在不增加工序和增大工艺难度的基础上, 提高了开口率。同时, 通过对黑矩阵尺寸的优化设计,得到了较好的视角特性。将这种方式的黑矩阵应用于 409cm (161 英寸) S X G A(1 280×3 R G B×1 024)全彩色液晶显示屏, 可使开口率提高 6% 。
王刚
杨虹
凌志华
杨柏梁
黄锡珉
关键词:
黑矩阵
对比度
开口率
液晶显示器件
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