杨柏梁
- 作品数：35 被引量：144H指数：7
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- 发文基金：“九五”国家科技攻关计划中国科学院院长基金吉林省杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程经济管理更多>>
- 一种新型单偏振片反射式液晶显示器的设计被引量：1
- 2000年
- 提出一种新型单偏振片反射式液晶显示器的设计方案。采用共面转换模式并在液晶和反射板之间加入四分之一光延迟膜。通过使用参数空间表示法优化选择器件参数 ,获得了高反射率、低色散和宽视角的常白、常黑反射式显示模式。
- 朱新羽荆海杨柏梁杨柏梁宣丽黄锡珉
- 关键词：反射率
- 一种升华法晶体生长安瓶的封装方法
- 本专利拟公开一种升华法晶体生长安瓶的封装方法,该方法在安瓶封装时,使用了一个一端开口另一端带有毛细小孔的附加管件。这种封装方法降低了安瓶封装时产生的沾污和材料的氧化,进而可以改善晶体生长的速率和稳定性。
- 杨柏梁
- 文献传递
- 源漏轻掺杂结构多晶硅薄膜晶体管模拟研究被引量：3
- 2001年
- 采用同型结模型模拟计算了源漏轻掺杂结构的关态漏极电流 ,同时考虑热电子效应修正漏极电流模拟结果 ,使漏极电流降低到 1 0 - 11A量级 ,晶体管的开关电流比值达到 1 0 6量级。模拟研究掺杂区浓度和宽度与多晶硅薄膜晶体管开关电流比的变化关系。
- 纪世阳李牧菊杨柏梁
- 关键词：多晶硅薄膜晶体管热电子漏电流
- 一种用于液晶分子取向排列的紫外光聚合物PV_4研究被引量：6
- 1999年
- 研究了紫外光聚合物材料ＰＶ４的化学性质；采用偏光显微照相技术，研究厂这种材料膜对液晶ＬＣ－６７１０Ａ的取向能力；用原子力显微镜（ＡＦＭ），研究了光聚合前后聚合物取向膜微观形貌的变化；测最了这种材料引起的液晶预倾角、单面光控取向层扭曲向列液晶显示器件（ＴＮ－ＬＣＤ）的电光特性和时间响应特性；分析了液晶分子取向排列的机理。
- 梁兆颜闫石宣丽杨柏梁黄锡珉谢景力张彦杰赵英英张金宝
- 关键词：液晶
- 淀积条件对a-SiNx:H薄膜中含氢基团的影响
- 1999年
- 利用红外光谱研究了等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法淀积的ａ－ＳiＮｘ：Ｈ薄膜。分析了气体流量比（Ｒ）、衬底温度（Ｔｓ）以及射频功率（Ｐ(ｒｆ)）的变化对ａ－ＳｉＮｘ：Ｈ薄膜中ＳｉＨ、ＮＨ和ＮＨ２基团的吸收峰强度的影响，同时研究了退火条件对ａ－ＳｉＮｘ：Ｈ薄膜中含氢基团的影响。
- 朱永福李牧菊杨柏梁刘传珍廖燕平袁剑锋刘雅言申德振
- 关键词：等离子体化学气相沉积
- 低阻高透过率ITO薄膜的制备与性能被引量：19
- 1999年
- 研究了直流磁控溅射法制备的ＩＴＯ薄膜的光电特性与溅射工艺参数的关系以及退火处理对ＩＴＯ薄膜光电特性的影响。在低衬底温度、低溅射功率下获得了优质的ＩＴＯ薄膜，可见光透过率高于８５％，在厚度为１００ｎｍ时其方块电阻在１５０～２００Ω／□之间，并且ＩＴＯ薄膜的制备工艺完全与ＡＭＬＣＤ中ＴＦＴ器件的制作工艺兼容。
- 王刚王刚王刚杨柏梁黄锡珉
- 关键词：直流磁控溅射TIO透过率真空退火
- TFT工艺中的反应性离子刻蚀被引量：1
- 1999年
- 对ＴＦＴ器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行了研究，给出了ＴＦＴ器件工艺中常见薄膜刻蚀速率的实验结果，并讨论了掺杂气体（如Ｈ２、Ａｒ等）对刻蚀速率的影响。
- 柳江虹袁剑峰杨柏梁杨柏梁马凯
- 关键词：反应性离子刻蚀选择比薄膜半导体
- 金属诱导法低温多晶硅薄膜的制备与研究被引量：6
- 2000年
- 利用金属诱导晶化 (Metal Induced Crystallization,MIC)的方法研究了 a- Si/Ni的低温晶化 ,MIC的晶化温度降低到 440℃。采用 XRD、Raman、SEM和 XPS等手段研究了 Ni-MIC多晶硅薄膜的特性 ,分析了薄膜结构和组成 ,讨论了晶化过程的机理。
- 刘传珍杨柏梁杨柏梁张玉张玉李牧菊吴渊廖燕平廖燕平黄锡珉
- 关键词：晶化多晶硅薄膜退火
- 世界TFT LCD产业现状被引量：9
- 2000年
- 杨柏梁
- 关键词：液晶显示器
- 用改进的气相物理输运法制备高品位CdTe单晶
- 1999年
- 以超高纯Ｔｅ 和重复区熔法获得的超高纯Ｃｄ 为原料，用改进的气相物理输运法制备了高质量的ＣｄＴｅ单晶．改进的ＰＶＴ 有效地抑制了生长安瓶封装时产生的原料氧化和沾污，提高了生长速率和稳定性．利用电子回旋共振，光致发光等方法的测试结果表明，所获得的高品位ＣｄＴｅ单晶的中性施主杂质浓度仅为５×１４１４ｃｍ － ３，４．２Ｋ 下电子回旋迁移率高达２．５×１０５ｃｍ ２／（Ｖ·ｓ）．
- 杨柏梁石川幸雄一色实
- 关键词：碲化镉单晶
