您的位置: 专家智库 > >

陈赛华

作品数:3 被引量:7H指数:2
供职机构:武汉理工大学材料科学与工程学院光纤传感技术与信息处理教育部重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金湖北省自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇激光
  • 1篇深紫外
  • 1篇深紫外激光
  • 1篇石英光纤
  • 1篇抛光
  • 1篇紫外激光
  • 1篇外延片
  • 1篇微平面
  • 1篇面粗糙度
  • 1篇划片
  • 1篇激光技术
  • 1篇激光切割
  • 1篇夹具
  • 1篇工艺参
  • 1篇工艺参数
  • 1篇光技术
  • 1篇光纤
  • 1篇飞秒
  • 1篇飞秒激光
  • 1篇GAN

机构

  • 3篇武汉理工大学

作者

  • 3篇戴玉堂
  • 3篇陈赛华
  • 2篇肖翔
  • 1篇曹靳
  • 1篇周广福
  • 1篇徐刚
  • 1篇李涛
  • 1篇丁莉云

传媒

  • 1篇激光技术
  • 1篇机械科学与技...
  • 1篇光学与光电技...

年份

  • 1篇2013
  • 2篇2012
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
基于飞秒激光的光纤切割加工工艺研究被引量:3
2013年
为了得到理想的光纤切割断面,利用飞秒激光对石英光纤材料进行切割微加工实验。研究激光功率、脉冲频率、扫描速度等加工参数与光纤切割断面质量间的关系,以寻求最理想的加工参数。最后在可调倾角光纤夹具的辅助下,很好地弥补加工过程中产生的端面倾斜角,得到垂直度高达89.56°的光纤切割断面。
李涛周广福戴玉堂陈赛华曹靳
关键词:飞秒激光激光切割石英光纤
基于157nm激光的GaN外延片激光抛光和划片工艺研究被引量:1
2012年
157 nm准分子激光的刻蚀精度高,热影响区极小,是较为理想的半导体材料微加工手段之一。通过大量实验对比,分析157 nm激光对GaN外延片抛光和划片加工过程中,各工艺参数对加工质量的影响。实验结果表明,157 nm激光抛光GaN外延片时,被刻蚀面单位面积累计辐射能量在一定范围内,会得到较好的表面粗糙度(Ra值约20 nm)。157 nm激光用于划片加工时,切槽内辐射的能量越高,残留物质越少,槽加工得越深,两侧壁面也更为陡峭;另外在扫描加工过程中适当地移动工作台高度,可以获得更好的加工效果。
肖翔戴玉堂陈赛华徐刚
关键词:抛光划片工艺参数
深紫外激光对GaN薄膜的激光抛光研究被引量:3
2012年
为了研究157nm深紫外激光的激光抛光加工特性,采用小光斑对GaN半导体薄膜进行了微平面扫描刻蚀。通过探讨激光工艺参量与激光抛光质量的影响关系,得到了最佳的工艺参量范围。结果表明,随着激光抛光扫描速率的增加,材料加工表面粗糙度值Ra逐渐减小,其中扫描速率在0.014mm/s~0.015mm/s处,激光抛光质量最高;而激光抛光扫描间距的减小,或者脉冲频率的增加,都将导致被加工表面粗糙度增大;当脉冲频率取8Hz时,抛光效果较好,表面粗糙度值Ra≈20nm。
陈赛华戴玉堂肖翔丁莉云
关键词:激光技术深紫外激光GAN薄膜微平面表面粗糙度
共1页<1>
聚类工具0