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崔长春
作品数:
1
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供职机构:
北京工业大学材料科学与工程学院
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发文基金:
北京市自然科学基金
北京市科技新星计划
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
王超
北京工业大学材料科学与工程学院
张正杰
北京工业大学材料科学与工程学院
侯育冬
北京工业大学材料科学与工程学院
朱满康
北京工业大学材料科学与工程学院
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PZN-PZ...
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AG掺杂
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掺杂
机构
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北京工业大学
作者
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朱满康
1篇
侯育冬
1篇
崔长春
1篇
张正杰
1篇
王超
传媒
1篇
压电与声光
年份
1篇
2011
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Ag掺杂PZN-PZT微观结构及电学性能影响
2011年
采用常规陶瓷工艺制备了0.2Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.8Pb(Zr0.5Ti0.5)O3(0.2PZN-0.8PZT)三元系陶瓷,系统研究了Ag掺杂对体系微观结构及电学性能的影响。结果表明,Ag在钙钛矿中的溶解限约为0.1%(质量分数)。低于溶解限,Ag以离子掺杂形式进入钙钛矿晶格置换A位的Pb2+,以受主掺杂机制影响体系电学性能;高于溶解限,过量的Ag以单质形式沉积在晶界,弥散分布在0.2PZN-0.8PZT相中。Ag单质使陶瓷体系形成复相结构,在烧结降温阶段产生内应力,改变了材料的电畴结构,并影响陶瓷的直流电阻率和压电性能。
张正杰
侯育冬
崔长春
王超
朱满康
关键词:
电畴
微观结构
压电性能
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