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张正杰

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：北京工业大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金：北京市自然科学基金北京市科技新星计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电畴
  • 1篇电性能
  • 1篇电学
  • 1篇压电
  • 1篇压电性
  • 1篇压电性能
  • 1篇微观结构
  • 1篇PZN-PZ...
  • 1篇AG掺杂
  • 1篇掺杂

机构

  • 1篇北京工业大学

作者

  • 1篇朱满康
  • 1篇侯育冬
  • 1篇崔长春
  • 1篇张正杰
  • 1篇王超

传媒

  • 1篇压电与声光

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Ag掺杂PZN-PZT微观结构及电学性能影响
2011年
采用常规陶瓷工艺制备了0.2Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.8Pb(Zr0.5Ti0.5)O3(0.2PZN-0.8PZT)三元系陶瓷,系统研究了Ag掺杂对体系微观结构及电学性能的影响。结果表明,Ag在钙钛矿中的溶解限约为0.1%(质量分数)。低于溶解限,Ag以离子掺杂形式进入钙钛矿晶格置换A位的Pb2+,以受主掺杂机制影响体系电学性能;高于溶解限,过量的Ag以单质形式沉积在晶界,弥散分布在0.2PZN-0.8PZT相中。Ag单质使陶瓷体系形成复相结构,在烧结降温阶段产生内应力,改变了材料的电畴结构,并影响陶瓷的直流电阻率和压电性能。
张正杰侯育冬崔长春王超朱满康
关键词：电畴微观结构压电性能
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共1页<1>
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