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王嘉琪
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9
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供职机构:
中国科学院半导体研究所
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相关领域:
电子电信
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合作作者
潘教青
中国科学院半导体研究所
周旭亮
中国科学院半导体研究所
王圩
中国科学院半导体研究所
于红艳
中国科学院半导体研究所
刘震
中国科学院半导体研究所
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潘教青
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于红艳
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刘震
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中物院高能激...
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基于外腔式自反馈的窄线宽半导体激光器
本发明公开了一种外腔式自反馈窄线宽半导体激光器,包括:一半导体增益芯片,用于产生光增益;一布拉格光纤光栅,布拉格光纤光栅与增益芯片之间通过直接耦合的方式连接,用于对增益芯片产生的光进行反馈;一光分束器,用于对光进行一定比...
李召松
陆丹
贺一鸣
王嘉琪
周旭亮
潘教青
文献传递
一种GaAs基带栅电极的宽光谱晶闸管激光器
本发明公开了一种GaAs基带栅电极的宽光谱晶闸管激光器,涉及半导体光电子器件技术领域。本发明结合了传统激光器的PiN结构和传统晶闸管的PNPN结构,提出了以GaAs基的新型PNPiN结构晶闸管激光器,包括:量子阱有源区层...
刘震
王嘉琪
于红艳
周旭亮
李召松
王圩
潘教青
文献传递
1.06μm量子阱被动锁模半导体激光器
本文报道了一种基于多量子阱结构的两段式单片集成被动锁模半导体激光器,激射波长1038nm.并且可以得到脉冲宽度2.6ps、峰值功率211.1mW的锁模脉冲,脉冲序列重复频率均为24.27GHz.改变材料的掺杂浓度,可以实...
王嘉琪
王火雷
马奔
倪海桥
潘教青
关键词:
半导体激光器
多量子阱结构
被动锁模
文献传递
多波长半导体分布式反馈激光器阵列及其制作方法
一种多波长半导体分布式反馈激光器阵列及其制备方法,其中制备方法包括以下步骤:在衬底上依次外延生长缓冲层、有源区和光栅层;通过塔尔博特干涉曝光方法在光栅层中形成不同周期的光栅以对应不同的发射波长;在光栅层上依次外延生长覆盖...
周旭亮
李召松
王梦琦
王嘉琪
于红艳
潘教青
王圩
文献传递
宽光谱晶闸管激光器的制备方法
本发明公开了一种宽光谱晶闸管激光器的制备方法,涉及半导体器件制备技术领域。本发明公开的制备方法包括:在衬底上制备半导体外延层结构,在半导体外延层结构上形成脊条结构,在脊条结构上制备电极得到所述的宽光谱晶闸管激光器。其中,...
王嘉琪
刘震
于红艳
周旭亮
李召松
王圩
潘教青
文献传递
一种多波长硅基微腔激光器阵列及其制备方法
一种多波长硅基微腔激光器阵列及其制备方法,该制备方法包括:在硅衬底上依次外延生长锗层、成核层、缓冲层和激光器外延层;对所述激光器外延层的波导区域进行阱层混杂工艺;在所述激光器外延层上刻蚀形成耦合波导和至少两种尺寸大小的微...
周旭亮
李召松
王梦琦
王嘉琪
于红艳
潘教青
王圩
文献传递
宽光谱晶闸管激光器的制备方法
本发明公开了一种宽光谱晶闸管激光器的制备方法,涉及半导体器件制备技术领域。本发明公开的制备方法包括:在衬底上制备半导体外延层结构,在半导体外延层结构上形成脊条结构,在脊条结构上制备电极得到所述的宽光谱晶闸管激光器。其中,...
王嘉琪
刘震
于红艳
周旭亮
李召松
王圩
潘教青
一种GaAs基带栅电极的宽光谱晶闸管激光器
本发明公开了一种GaAs基带栅电极的宽光谱晶闸管激光器,涉及半导体光电子器件技术领域。本发明结合了传统激光器的PiN结构和传统晶闸管的PNPN结构,提出了以GaAs基的新型PNPiN结构晶闸管激光器,包括:量子阱有源区层...
刘震
王嘉琪
于红艳
周旭亮
李召松
王圩
潘教青
多波长半导体分布式反馈激光器阵列及其制作方法
一种多波长半导体分布式反馈激光器阵列及其制备方法,其中制备方法包括以下步骤:在衬底上依次外延生长缓冲层、有源区和光栅层;通过塔尔博特干涉曝光方法在光栅层中形成不同周期的光栅以对应不同的发射波长;在光栅层上依次外延生长覆盖...
周旭亮
李召松
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