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周旭亮

作品数：90 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术矿业工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 89篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 26篇电子电信
  • 1篇矿业工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 43篇硅基
  • 34篇激光
  • 34篇激光器
  • 23篇砷化镓
  • 21篇刻蚀
  • 17篇氧化硅
  • 17篇二氧化硅
  • 17篇波导
  • 16篇衬底
  • 12篇砷化镓材料
  • 10篇电注入
  • 10篇III-V族
  • 9篇阵列
  • 9篇激光器阵列
  • 9篇半导体
  • 8篇电极
  • 8篇化学机械抛光
  • 8篇机械抛光
  • 8篇波导结
  • 8篇波导结构

机构

  • 90篇中国科学院

作者

  • 90篇周旭亮
  • 90篇潘教青
  • 73篇于红艳
  • 51篇王圩
  • 20篇李士颜
  • 20篇李梦珂
  • 14篇米俊萍
  • 14篇王鹏飞
  • 10篇王宝军
  • 8篇王嘉琪
  • 7篇张冶金
  • 4篇刘震
  • 3篇袁丽君
  • 3篇邵永波
  • 3篇王火雷
  • 2篇朱洪亮
  • 2篇戴兴
  • 2篇于鸿艳
  • 2篇张心
  • 2篇陆丹

传媒

  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 1篇2024
  • 7篇2023
  • 3篇2022
  • 5篇2021
  • 8篇2020
  • 4篇2019
  • 5篇2018
  • 6篇2017
  • 9篇2016
  • 7篇2015
  • 3篇2014
  • 18篇2013
  • 11篇2012
  • 3篇2011
共 90 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于表面等离激元的硅基半导体激光器
本发明公开了一种基于表面等离激元的硅基半导体激光器，包括衬底、增益层、限制隔离层、电隔离层、上电极层和下电极层。衬底的顶部设置有凹槽；增益层包括自下而上依次层叠的下包层、有源层、上包层和接触层。下包层设置于凹槽内，适用于...
周旭亮杨正霞贾晓皓刘孔王智杰潘教青
宽光谱晶闸管激光器的制备方法
本发明公开了一种宽光谱晶闸管激光器的制备方法，涉及半导体器件制备技术领域。本发明公开的制备方法包括：在衬底上制备半导体外延层结构，在半导体外延层结构上形成脊条结构，在脊条结构上制备电极得到所述的宽光谱晶闸管激光器。其中，...
王嘉琪刘震于红艳周旭亮李召松王圩潘教青
文献传递
电注入硅基III-V族边发射纳米线激光器及其制备方法
本发明公开了一种电注入硅基III‑V族边发射纳米线激光器的制备方法，包括：在SOI衬底上沉积二氧化硅层，在所述二氧化硅层上刻蚀矩形沟槽；在矩形沟槽下方的所述SOI衬底的顶层硅中腐蚀v形沟槽，与所述矩形沟槽连通形成连通沟槽...
李亚节周旭亮王梦琦于红艳杨文宇潘教青王圩
文献传递
应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法
一种应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底1上生长二氧化硅层；步骤2：采用传统光刻和RIE方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的<110>方向刻蚀出多个沟槽；步骤3：分别用pir...
周旭亮于红艳王宝军潘教青王圩
文献传递
倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法
一种倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底上生长二氧化硅层；步骤2：采用传统光刻和RIE方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的<110>方向刻蚀出沟槽，刻蚀深度等于二氧化硅层的...
周旭亮于红艳王宝军潘教青王圩
文献传递
制备硅基砷化镓材料的方法
一种制备硅基砷化镓材料的方法，包括以下步骤：在硅衬底1上生长二氧化硅层；采用全息曝光和ICP方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的&lt;110&gt;方向刻蚀出沟槽；分别用piranha、SC<Sub>2</Sub>、HF和去...
周旭亮于红艳张心潘教青王圩
文献传递
电注入硅基III-V族纳米激光器阵列的制备方法
本公开提供了一种电注入硅基III‑V族纳米激光器阵列的制备方法，包括：在SOI衬底上沉积二氧化硅，在二氧化硅上刻蚀出周期性的矩形沟槽；腐蚀SOI衬底，在矩形沟槽的下方腐蚀出V形沟槽；在V形沟槽和矩形沟槽中生长III‑V族...
李亚节周旭亮王梦琦王鹏飞孟芳媛李召松于红艳潘教青
一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法
一种一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在n-InP衬底上依次外延生长出InP缓冲层、InGaAsP下波导层、多量子阱结构、InGaAsP上波导层和p-n反型层；步骤2：在InGaAsP上波导层和...
于红艳周旭亮邵永波王宝军潘教青王圩
文献传递
基于硅基赝砷化镓衬底的850nm激光器的制备方法
一种基于硅基赝砷化镓衬底的850nm激光器的制备方法，包括以下步骤：采用UHVCVD方法在衬底上生长第一缓冲层；将生长有第一缓冲层的衬底，放入MOCVD反应室并进行700℃高温处理；在第一缓冲层上外延第二缓冲层；在第二缓...
周旭亮于红艳潘教青赵玲娟王圩
光学神经网络芯片及其计算方法
本公开提供了一种光学神经网络芯片及其计算方法，包括：光子权重模块，用于实现多个权重的编码，并基于多个权重的编码，调节输入信号中包括的多个不同波长的光信号的幅值，实现各波长的光信号表示的输入数据分别与多个权重的光学乘加计算...
王瑞廷王鹏飞罗光振张冶金周旭亮于红艳王梦琦潘教青王圩
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