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于红艳

作品数：82 被引量：10H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 76篇专利
  • 5篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 22篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇机械工程

主题

  • 40篇硅基
  • 34篇激光
  • 34篇激光器
  • 23篇砷化镓
  • 21篇刻蚀
  • 17篇波导
  • 15篇氧化硅
  • 15篇二氧化硅
  • 13篇衬底
  • 12篇砷化镓材料
  • 10篇III-V族
  • 9篇阵列
  • 9篇激光器阵列
  • 9篇半导体
  • 8篇化学机械抛光
  • 8篇机械抛光
  • 8篇锗
  • 8篇波导结
  • 8篇波导结构
  • 7篇电子器件

机构

  • 82篇中国科学院
  • 1篇山东大学
  • 1篇山东理工大学
  • 1篇山东师范大学

作者

  • 82篇于红艳
  • 80篇潘教青
  • 73篇周旭亮
  • 57篇王圩
  • 18篇李士颜
  • 18篇李梦珂
  • 16篇王宝军
  • 14篇米俊萍
  • 9篇王鹏飞
  • 7篇王嘉琪
  • 6篇赵玲娟
  • 5篇邵永波
  • 5篇王火雷
  • 4篇张冶金
  • 4篇袁丽君
  • 4篇边静
  • 4篇刘震
  • 3篇朱洪亮
  • 3篇王伟
  • 2篇戴兴

传媒

  • 2篇第十二届全国...
  • 1篇激光与红外
  • 1篇第十六届全国...
  • 1篇2010(第...

年份

  • 4篇2023
  • 3篇2021
  • 6篇2020
  • 3篇2019
  • 5篇2018
  • 4篇2017
  • 7篇2016
  • 8篇2015
  • 4篇2014
  • 17篇2013
  • 13篇2012
  • 5篇2011
  • 3篇2010
共 82 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
制备硅基InGaAsP为有源区的1550nm激光器的方法
一种制备硅基InGaAsP为有源区的1550nm激光器的方法，包括：在硅衬底上生长二氧化硅层；在二氧化硅层上沿着硅衬底的<110>方向刻蚀出沟槽；清洗；先在沟槽内依次生长第一缓冲层和第二缓冲层；接着在第二缓冲...
周旭亮于红艳王伟潘教青王圩
单模掩埋半导体激光器及其制备方法
本公开提供了一种单模掩埋半导体激光器及其制备方法，可以用于光电子器件领域。该单模掩埋半导体激光器包括：N型电极，设置于单模掩埋半导体激光器的底板上；外延结构层，设置于N型电极上；宽台面结构层，设置于所外延结构层上；以及P...
吕晨于红艳周旭亮王梦琦王鹏飞罗光振潘教青
ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法
一种ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法，包括以下步骤：在硅衬底上生长二氧化硅层；采用全息曝光和ICP的方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的&lt;110&gt;方向刻蚀出多个沟槽；分别用piranha、SC<S...
李梦珂周旭亮于红艳李士颜米俊萍潘教青
文献传递
大规模单片集成的硅基III-V族电泵激光器及其制备方法
一种大规模单片集成的硅基III‑V族电泵激光器及其制备方法，该制备方法包括在图形化的SOI衬底上生长III‑V族波导结构，制备第二二氧化硅层，仅保留III‑V族波导结构相邻的第一二氧化硅层和第二二氧化硅层；去除SOI衬底...
李亚节周旭亮杨文宇王梦琦于红艳潘教青
文献传递
硅基表面高阶光栅激光器及其制备方法
本发明涉及光电子器件技术领域，尤其涉及一种硅基表面高阶光栅激光器及其制备方法，该激光器包括：衬底、设置在衬底之上的倒脊型波导结构、设置在波导结构上层的绝缘层、填充在波导结构和绝缘层之间填充层；其中，波导结构的上表面和填充...
田家琛杨正霞周旭亮于红艳潘教青
应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法
一种应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底1上生长二氧化硅层；步骤2：采用传统光刻和RIE方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的&lt;110&gt;方向刻蚀出多个沟槽；步骤3：分别用pir...
周旭亮于红艳王宝军潘教青王圩
倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法
一种倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底上生长二氧化硅层；步骤2：采用传统光刻和RIE方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的&lt;110&gt;方向刻蚀出沟槽，刻蚀深度等于二氧化硅层的...
周旭亮于红艳王宝军潘教青王圩
光学神经网络芯片及其计算方法
本公开提供了一种光学神经网络芯片及其计算方法，包括：光子权重模块，用于实现多个权重的编码，并基于多个权重的编码，调节输入信号中包括的多个不同波长的光信号的幅值，实现各波长的光信号表示的输入数据分别与多个权重的光学乘加计算...
王瑞廷王鹏飞罗光振张冶金周旭亮于红艳王梦琦潘教青王圩
文献传递
运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备
一种运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底1上生长二氧化硅层；步骤2：采用传统光刻和RIE方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的&lt;110&gt;方向刻蚀出沟槽；步骤3：采用KOH湿法刻蚀在沟...
周旭亮于红艳王宝军潘教青王圩
文献传递
多波长硅基混合集成slot激光器集成光源及其制备方法
一种多波长硅基混合集成slot激光器集成光源及其制备方法，多波长硅基混合集成slot激光器集成光源包括硅基波导结构及键合在所述硅基波导结构上的多模半导体增益激光器阵列，其中，所述硅基波导结构包括：硅基衬底，n条波导通道，...
戴兴李梦珂李雅博李召松周旭亮于红艳潘教青
文献传递
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