任永晓
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 1.06μm大功率连续半导体激光器被引量：1
- 2009年
- 利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术,生长了InGaAs/AlGaAs分别限制压应变双量子阱和单量子阱两种材料结构,通过对不同腔长单管激光器的LIV测试获得内部参数,对单、双阱两种材料结构器件参数进行对比分析,确定了单量子阱结构作为1.06μm大功率半导体激光器的材料结构。通过研究单管激光器的电光转换效率与腔长、注入电流的关系,获得了最高达到57.5%的电光转换效率。对1mm腔长单管激光器进行了大电流高温加速老化测试,结果显示研制出的单管激光器室温下在1.5A工作电流下寿命远大于104h。
- 任永晓陈宏泰张世祖杨红伟花吉珍
- 关键词：半导体激光器金属有机化学气相淀积电光转换效率
- 硅基三维电容及其制作方法
- 本发明提供一种硅基三维电容及其制作方法，其中制作方法包括在一硅衬底的表面制备一层介质掩膜层，并在介质掩膜层上刻蚀多个间隔排列的刻蚀微孔直至露出硅衬底；采用深硅刻蚀工艺，对多个间隔排列的刻蚀微孔进行刻蚀，以形成多个间隔排列...
- 杨志董春晖崔玉兴王敬轩韩孟序王川宝王帅王敏康建波解涛杨双龙王利芹商庆杰李亮张丹青丁现朋李庆伟张发智刘青林刘冠廷冯立东于峰涛宋红伟任永晓王国清杜少博
- In-Au复合焊料研究被引量：2
- 2009年
- 大功率半导体激光器封装过程中,为降低封装引入的应力,踊般用In焊料进行焊接。In焊料具有易氧化、易"攀爬"的特性,因而导致封装成品率很低。提出了一种新型焊料——In-Au复合焊料,使用此焊料进行封装,很好地解决了上述问题。通过理论分析及实验摸索,确定了In-Au复合焊料蒸发条件,分别利用纯In焊料和In-Au复合焊料封装了一批激光器样品,通过对比这两组样品的焊料浸润性、电光参数、剪切强度等,发现利用In-Au复合焊料封装的样品优于纯In焊料封装的样品。
- 徐会武牛江丽任永晓王伟
- 关键词：半导体激光器攀爬成品率
