杨红伟
- 作品数：51 被引量：67H指数：5
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金国家部委资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程交通运输工程理学更多>>
- 16线集成窄脉冲半导体激光器模块的研制被引量：4
- 2020年
- 为提高激光雷达系统的探测距离和空间探测精度,并减少其体积及成本,研制了一款16线集成窄脉冲半导体激光器模块,该模块主要包括高密度排列的激光器芯片、集成驱动电路及光电混合集成封装结构。采用三层发光纳米堆叠激光器芯片及高精度贴片工艺实现16线激光器贴装;采用结电容和开关损耗较小的新型GaN功率器件实现窄脉冲驱动电路;将激光器芯片与电路封装在同一管壳内,减小分布电感;采用能量压缩技术实现了16线单独可控,获得了高功率(70 W)、窄脉冲(6 ns)和低功耗(4 W)的优良性能。与传统采用分立式器件的激光雷达系统相比,该模块能够将系统探测距离和空间探测精度均提高将近50%。
- 张厚博王晓燕崔璐李晓红杨红伟
- 关键词：半导体激光器集成封装窄脉冲激光雷达
- 基于键合晶体的1.5μm激光器和光学系统
- 本申请适用于激光器技术领域，提供了基于键合晶体的1.5μm激光器和光学系统，该激光器包括：耦合透镜组和键合晶体；耦合透镜组用于整形聚焦入射激光，并发射至键合晶体；键合晶体用于提供激光增益介质和被动调Q；其中，键合晶体包括...
- 马汉超王媛媛杨红伟房玉锁孙芮李增路孙奕涛申正坤张港李松松冯卓冯晓静
- 采用MOCVD生长方法制备量子级联激光器研究进展
- 量子级联激光器(QCL)是一种基于子带间电子跃迁的中、远红外波段单极光源。由于MOCVD较MBE具有更快的生长速率,高质量的磷化物生长、低缺陷密度等优势更适合工业化生产,越来越多的量子级联激光器采用这种方法制备,并实现了...
- 林琳陈宏泰杨红伟刘英斌安振峰
- 关键词：量子级联激光器MOCVD
- 文献传递
- 微透镜调试装置
- 本发明提供了一种微透镜调试装置，包括调节支架、多个弹性夹持体和多个调节丝；调节支架用于与微调设备的调节端连接，并具有相对设置的第一连接部和第二连接部；多个弹性夹持体分别连接于第一连接部和第二连接部，第一连接部与对应的弹性...
- 李晓红张厚博杨红伟崔璐王晓燕马汉超刘牧荑武艳青孙芮孙奕涛崔绍晖封嘉纯王雪飞陈玉娟
- 大功率半导体激光器腔面抗烧毁技术被引量：4
- 2010年
- 首先介绍了连续激光器单管老化试验,试验通过测试不同老化时间激光器腔面的烧毁功率,对腔面烧毁发生的过程进行了分析。分析认为,大功率半导体激光器腔面烧毁失效的根本原因是腔面烧毁功率在老化过程中持续减小,最终低于激光器输出功率,造成激光器灾变性光学镜面破坏(COMD)。随后对腔面烧毁的微观物理机理进行了介绍,重点讨论了腔面缺陷相关的非辐射复合、量子阱带边吸收、自由载流子吸收造成的腔面温度升高以及腔面高温导致腔面缺陷密度增加并且向腔内攀移的微观过程。最后,介绍了电流非注入腔面、大光腔材料、长腔长设计、腔面离子铣钝化工艺等腔面抗烧毁技术研究情况,并对这些技术提高腔面抗烧毁功率以及改善腔面长期稳定性的效果进行了讨论。
- 李永杨红伟陈宏泰张世祖彭海涛
- 关键词：大功率半导体激光器
- 1.06μm大功率连续半导体激光器被引量：1
- 2009年
- 利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术,生长了InGaAs/AlGaAs分别限制压应变双量子阱和单量子阱两种材料结构,通过对不同腔长单管激光器的LIV测试获得内部参数,对单、双阱两种材料结构器件参数进行对比分析,确定了单量子阱结构作为1.06μm大功率半导体激光器的材料结构。通过研究单管激光器的电光转换效率与腔长、注入电流的关系,获得了最高达到57.5%的电光转换效率。对1mm腔长单管激光器进行了大电流高温加速老化测试,结果显示研制出的单管激光器室温下在1.5A工作电流下寿命远大于104h。
- 任永晓陈宏泰张世祖杨红伟花吉珍
- 关键词：半导体激光器金属有机化学气相淀积电光转换效率
- GaAs衬底上GaInP材料的生长
- InGaAsP/GaAs体系作为AlGaAs/GaAs体系的替代材料,有以下主要优点:无铝体系,氧化速率慢,易于工艺制作;表面及界面复合速率低;四元体系,利用应变补偿效应;易于选择腐蚀。在光电子、微电子领域有广泛的应用。...
- 陈宏泰刘英斌杨红伟赵润林琳王晶
- 关键词：半导体材料GAINPGAAS衬底
- 文献传递
- 微通道散热大功率半导体激光器研究被引量：1
- 2009年
- 基于GaInAs/AlGaAs应变量子阱大光腔结构激光器芯片和无氧铜微通道热沉,采用In焊料烧结工艺,制作了976nm大功率连续激光器单条。在20℃热沉冷却条件下,输入电流110A时,输出功率104.9W,电光转换效率达到最大值64%。输入电流300A时,输出功率276.6W,电光转换效率达到54.2%。对激光器单条的热阻以及特征温度进行了测试分析,根据分析结果模拟了激光器单条在大电流下的输出特性,模拟结果显示热饱和是限制激光器最大输出功率的原因。因此,为了提高大功率激光器的输出功率,需要进一步提高激光器的特征温度,并降低热阻以改善散热情况。
- 黄科杨红伟车相辉彭海涛王媛媛徐会武
- 关键词：大功率半导体激光器微通道热沉电光转换效率热阻
- 一种测试夹具
- 本实用新型涉及半导体激光器芯片生产加工领域，具体公开了一种测试夹具，包括载台、盖板、挡板、滑轨、压块和绝缘软垫，待测试芯片置于盖板上，一侧与挡板接触，实现限位，盖板和挡板与载台固定连接；待测试芯片的上方设有压块，压块置于...
- 张岩彭海涛杨红伟张世祖齐利芳
- 文献传递
- 1.3μm AlGaInAs/InP量子阱激光器材料研究被引量：1
- 2013年
- 设计制作了适用于无致冷工作的通讯用1.3μm量子阱激光器材料,并制作成单模芯片进行特性分析研究。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺生长了AlGaInAs/InP应变补偿量子阱材料,采用此外延材料制作的脊宽为2.5μm脊形波导结构FP单模激光器芯片,解理为250,500和750μm不同腔长,进行了内部参数提取,内量子效率ηi为76%、内损耗αi为7.06/cm、模式增益Γg0为81.90/cm、透明电流密度Jtr为1 045 A/cm2。对250μm腔长管芯镀膜,进行电光特性测试,室温性能指标为:阈值电流Ith<10 mA,斜率效率η=0.6 W/A,达到国际同类产品水平,实现1.3μm FP材料国产化。
- 陈宏泰车相辉张宇赵润杨红伟余般梅王晶位永平林琳
- 关键词：ALGAINASINPMOCVD
