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车相辉

作品数：55 被引量：37H指数：4
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺核科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 29篇专利
  • 20篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 28篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇核科学技术

主题

  • 34篇激光
  • 32篇激光器
  • 21篇半导体
  • 21篇半导体激光
  • 21篇半导体激光器
  • 13篇波导
  • 9篇MOCVD
  • 6篇隧道级联
  • 6篇隧道结
  • 5篇叠层
  • 5篇阻挡层
  • 5篇磷化铟
  • 5篇金属有机化学...
  • 5篇化学气相
  • 5篇化学气相沉积
  • 5篇发散角
  • 4篇单模
  • 4篇电光
  • 4篇电光转换
  • 4篇电光转换效率

机构

  • 55篇中国电子科技...
  • 1篇石家庄市机械...
  • 1篇重庆航伟光电...

作者

  • 55篇车相辉
  • 36篇陈宏泰
  • 28篇王晶
  • 25篇林琳
  • 21篇张宇
  • 21篇位永平
  • 20篇宁吉丰
  • 16篇赵润
  • 13篇杨红伟
  • 9篇徐会武
  • 9篇郝文嘉
  • 9篇王彦照
  • 9篇于浩
  • 7篇王英顺
  • 7篇王晓燕
  • 7篇安振峰
  • 5篇王媛媛
  • 5篇张世祖
  • 5篇程义涛
  • 3篇沈牧

传媒

  • 11篇半导体技术
  • 7篇微纳电子技术
  • 3篇第13届全国...
  • 1篇电子工艺技术
  • 1篇中国激光

年份

  • 2篇2024
  • 2篇2023
  • 5篇2022
  • 3篇2021
  • 1篇2020
  • 3篇2019
  • 3篇2018
  • 7篇2017
  • 6篇2016
  • 5篇2015
  • 5篇2014
  • 2篇2013
  • 3篇2012
  • 2篇2011
  • 5篇2010
  • 1篇2009
共 55 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种半导体激光器
本申请适用于激光器技术领域，提供了一种半导体激光器，所述半导体激光器包括：衬底、在衬底上由下至上设有的缓冲层、N型限制层、下限制层、下波导层、多量子阱，上波导层、上限制层、腐蚀阻挡层、P型限制层和电极接触层，所述缓冲层和...
车相辉曹晨涛赵润
文献传递
一种低暗电流高响度InGaAs/InP pin光电探测器被引量：3
2014年
分析了InGaAs/InP pin光电探测器暗电流和响应度的影响因素,并对MOCVD外延工艺以及器件结构进行优化,从而提高器件响应度和降低暗电流。采用低压金属有机化学气相沉积设备(LP-MOCVD)成功制备了InGaAs/InP pin光电探测器,得到了高质量的晶体材料,InGaAs吸收层的背景浓度低于4×1014 cm-3。利用扩Zn工艺制作出感光区直径为70μm的平面光电探测器。测量结果显示,在反偏电压为5 V时,暗电流小于0.05 nA,电容约为0.4 pF。此外,在1 310 nm激光的辐照下,器件的响应度可达0.96 A/W以上。
车相辉张宇宁吉丰李洪涛王晶位永平张豫黔赵润陈宏泰
关键词：INGAAS光电探测器暗电流响应度
900nm三叠层隧道级联激光器的结构优化研究被引量：4
2010年
采用金属有机化合物气相淀积方法生长了900nm的三叠层隧道级联激光器。针对隧道级联激光器存在工作电压高、材料各层的光场耦合等问题,分别采用δ掺杂、扩展波导等技术对激光器结构进行了优化,并通过模拟计算对隧道结耗尽区宽度进行了优化。通过优化隧道结δ掺杂的生长条件,得到n+GaAs的掺杂浓度大于1×1019/cm3,使工作电压下降1V;通过采用扩展波导,使垂直发散角由常规结构的35°减小到20°。将900nm的三叠层隧道级联激光器制作成条宽300μm、腔长800μm的条形激光器,采用同轴封装形式,在20A的脉冲工作电流下,输出功率达到55W,斜率效率达到2.9W/A,以上指标是普通激光器的3倍。
林琳陈宏泰安志民车相辉王晶
关键词：隧道结半导体激光器金属有机化合物气相淀积Δ掺杂
976nm高效率半导体激光器被引量：5
2011年
976 nm高效率半导体激光器是这几年研究的热点,在固体激光器泵浦领域有广阔的应用。通过优化半导体激光器材料外延结构中包覆层和波导层的铝组分,降低了工作电压;通过采用微通道水冷系统,并进行优化降低了热阻,从而提高了室温下的电光转换效率。25℃室温连续测试条件下,1 cm的线阵列(巴条),2 mm腔长,50%填充因子,在110 A下,出光功率为114.2 W,电压为1.46 V,电光转换效率为71%。15条微通道封装成的垂直叠阵,进行光束整形后,获得了室温976 nm连续输出功率1 500 W,电光转换效率大于70%。
安振峰林琳徐会武陈宏泰车相辉王晶位永平
关键词：半导体激光器线阵列
均匀光栅DFB激光器光电特性研究被引量：2
2016年
光栅结构的设计和制作直接决定了分布反馈（DFB）半导体激光器光电特性的优劣。采用传输矩阵法模拟了不同光栅耦合因子下随机相位对均匀光栅DFB芯片特性的影响,获得了芯片的光电参数分布。通过分析耦合因子对芯片光电参数分布的影响,提高了DFB芯片的成品率。设计并制备了基于Al Ga In As材料体系的脊波导DFB激光器,最终使芯片双峰比例仅为7.7%、成品率达到60%。对合格品在-40~105℃下的P-I特性和在-40~85℃下的光谱进行了测试,结果表明芯片性能优良,芯片远场发散角为25°和21°。芯片的小信号频带响应和眼图测试结果表明芯片完全满足2.5 Gbit/s的应用要求。
赵润张晓光曹晨涛车相辉
关键词：光栅耦合因子
一种多层材料的非选择性湿法腐蚀方法及其应用
本发明涉及微加工湿法腐蚀技术领域，具体公开一种多层材料的非选择性湿法腐蚀方法及其应用。所述方法采用逐级腐蚀的方法，分阶段将具有多层结构的基片腐蚀至目标深度，其中，前一阶段腐蚀结束后取出基片用去离子水冲洗其表面后再进入下一...
武艳青赵润车相辉姚文港董风鑫
文献传递
一种多层材料的非选择性湿法腐蚀方法及其应用
本发明涉及微加工湿法腐蚀技术领域，具体公开一种多层材料的非选择性湿法腐蚀方法及其应用。所述方法采用逐级腐蚀的方法，分阶段将具有多层结构的基片腐蚀至目标深度，其中，前一阶段腐蚀结束后取出基片用去离子水冲洗其表面后再进入下一...
武艳青赵润车相辉姚文港董风鑫
多叠层隧道级联半导体激光器
本实用新型公开了一种多叠层隧道级联半导体激光器，属于半导体激光器领域。本实用新型包括2-4个垂直连接的单层激光器单元；相邻两单层激光器单元之间按照半导体晶体生长规则通过具有特殊结构的隧道结单元层生长连接；隧道结单元包括高...
陈宏泰林琳车相辉王晶位永平张宇宁吉丰
文献传递
提高P型铟镓砷薄膜掺杂浓度的方法、薄膜的制备方法及其应用
本发明涉及P型铟镓砷薄膜生长技术领域，具体公开了提高P型铟镓砷薄膜掺杂浓度的方法，将掺杂碳的铟镓砷薄膜，在氮气环境下进行降温退火，退火温度从550±10℃均匀降到400±10℃，时间为5±1min，压力为50±5mbar...
张宇陈宏泰车相辉林琳位永平王晶郝文嘉于浩
文献传递
SiO_(2)湿法腐蚀速率分析和形貌控制被引量：1
2021年
制备SiO_(2)腐蚀溶液BOE,对SiO_(2)湿法腐蚀速率和腐蚀形貌进行了剖析。首先分析了光刻工艺对SiO_(2)薄膜纵向和横向腐蚀速率以及侧壁腐蚀形貌的影响,其次对SiO_(2)侧壁腐蚀形貌的形成原理进行分析,并给出了侧壁形貌控制方法。试验结果表明,光刻胶掩模与SiO_(2)膜层之间的附着性随前烘温度和前烘时间的增加而增强,而介质横向腐蚀速率随附着性的增强而下降,同时纵向腐蚀速率保持恒定。分析了造成侧壁陡直性差的原因,并通过对腐蚀原理分析给出了控制SiO_(2)侧壁腐蚀形貌的方法。
武艳青张奇车相辉于峰涛姚文港董风鑫
关键词：湿法腐蚀腐蚀速率腐蚀形貌
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