张世祖
- 作品数：25 被引量：60H指数：5
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金国家部委资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 10 Gbit/s台面型InGaAs/InP pin高速光电探测器被引量：5
- 2018年
- 利用数值计算方法分析了高速光电探测器的耗尽区宽度与响应度及响应速度的关系。分析结果表明,耗尽区宽度选择应在响应度和响应速度之间折中,在响应度满足使用要求的情况下,尽量提高响应速度。利用该分析结果设计了台面型In GaAs/InP pin高速光电探测器材料结构。通过优化腐蚀工艺与钝化工艺,解决了器件腐蚀形貌和钝化问题。结合其他微细加工工艺完成了器件的制备,器件光敏区直径50μm。测试结果显示,在反向偏压为5 V时,暗电流小于1 nA,电容约为0.21 p F。此外,在1 310 nm激光辐照下,器件的响应度约为0.95 A/W,-3 dB带宽超过10 GHz,其性能满足10 Gbit/s光纤通信应用要求。
- 李庆伟李伟齐利芳尹顺政张世祖
- 关键词：光电探测器INGAAS/INP响应度响应速度
- 基于MOCVD技术的长波AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器
- 采用n型掺杂背面入射AlGaAs/GaAs量子阱结构,用MOCVD外延生长和GaAs集成电路工艺,设计制作了大面积AlGaAs/GaAs量子阱红外探测器(QWIP)单元测试器件和128×128、128×160和256×2...
- 李献杰刘英斌冯震过帆赵永林赵润周瑞娄辰张世祖
- 关键词：MOCVD技术量子阱红外探测器红外热成像
- 文献传递
- 基于腔面非注入技术的大功率半导体激光器被引量：3
- 2009年
- 采用腔面电流非注入技术,提高了808nm半导体激光器灾变性光学损伤(COD)阈值。通过腐蚀GaAs高掺杂层的方法,在半导体激光器腔面附近形成电流非注入区,以此来减少腔面处的载流子注入。载流子注入水平的降低,减少了腔面处非辐射复合的发生,因而提高了激光器的灾变性光学损伤阈值。应用电流非注入技术制作的器件的最大输出功率达到3.7W;而应用常规工艺制作的器件的最大输出功率为3.1W。同常规工艺相比,采用该技术使器件的最大输出功率提高了近20%。
- 张世祖杨红伟花吉珍陈宏泰陈玉娟家秀云徐会武沈牧
- InP微透镜的设计与制作被引量：2
- 2018年
- 高速光电探测器采用芯片背面带微透镜的背入射结构,利用微透镜对光的汇聚提高芯片与光纤的耦合效率。软件模拟发现,光敏面直径为30μm的芯片采用背入射结构时,其等效光敏面直径大于50μm,并且透镜拱高为8～15μm时,能更好实现对光的汇聚。对于InP微透镜的制作,首先要制作出透镜形状的光刻胶胶型,然后通过电感耦合等离子体（ICP）刻蚀将光刻胶图形转移到InP衬底上。光刻胶坚膜温度与坚膜时间对光刻胶形成透镜形状有很大影响。通过优化条件,150℃坚膜3 min的光刻胶呈规则透镜形状,并且表面光滑无褶皱。通过调节反应离子刻蚀（RIE）功率和ICP功率找到了合适的InP刻蚀速率,调节Cl2和BCl3的体积流量比改变了InP和光刻胶的刻蚀选择比,从而制作出不同拱高的微透镜。
- 李庆伟尹顺政宋红伟张世祖蒋红旺
- 关键词：微透镜高速光电探测器
- 半导体激光器用新型氮化铝陶瓷载体倾斜端面制作方法
- 一种半导体激光器用新型氮化铝陶瓷载体倾斜端面制作方法，主要采用了金刚石刀具在氮化铝陶瓷片加工V型凹槽至规定深度，再将预留底面减薄的方法制作出符合要求的倾斜端面。该方法简单易实施，成本低、加工效率高、一致性好，用该种技术制...
- 常慧增张世祖
- 文献传递
- 808nm半导体激光器材料参数的数值模拟研究
- 本文使用自洽二维数字模拟软件优化半导体激光器的外延结构,对GaAsP/AlGaAs分别限制单量子阱结构进行了模拟,研究了波导层的掺杂对工作电压的影响。根据模拟结果,采用金属有机化学淀积(MOCVD)技术,外延生长了单量子...
- 车相辉陈宏泰林琳王晶张世祖徐会武刘会民王晓燕杨红伟安振峰
- 关键词：工作电压
- 文献传递
- 大功率半导体激光器的腔面钝化被引量：4
- 2009年
- 大功率半导体激光器的腔面退化是影响其寿命和可靠性的重要因素,长期以来一直是人们关注和研究的重点。本文利用离子铣结合腔面钝化还原层的方法对大功率半导体激光器的腔面进行处理。结果显示,离子铣腔面钝化能够在一定程度上减少半导体激光器的功率退化,168h加速老化后退化幅度降低4.5%;同时该技术对老化过程中COD阈值降低有明显的抑制作用,可有效减少使用中的突然失效。结果表明,该技术能够改善半导体激光器的腔面特性,器件的可靠性和使用寿命可望得到提高。
- 彭海涛家秀云张世祖花吉珍杨红伟陈宏泰安振峰
- 关键词：半导体激光器可靠性
- 湿法腐蚀DFB半导体激光器的均匀光栅的研究被引量：2
- 2005年
- 论述了用湿法腐蚀电子束光刻的均匀光栅DFB激光器亚微米光栅的过程,研究了几种腐蚀液对半导体激光器外延材料中InP的腐蚀过程。用扫描电子显微镜(SEM)对其腐蚀情况进行了分析,通过调节腐蚀液HBr:HNO3:H2O的体积比,找到了对InP腐蚀的最佳配比(1:1:30)以及合适的腐蚀条件(室温23℃)。利用这种腐蚀液得到的光栅图形可以满足DFB激光器的要求。
- 高丽艳陈国鹰花吉珍张世祖郭艳菊
- 关键词：扫描电子显微镜
- 大功率激光二极管阵列正向特性研究
- 2008年
- 大功率激光二极管阵列的正向特性失效问题严重影响器件的成品率和可靠性。对典型的失效现象进行了分类,确认了主要的失效现象是正向漏电。结合分阶段测试统计和对失效样品的显微分析,确定了造成激光二极管漏电的主要工艺环节以及工艺过程中机械损伤造成二极管漏电的机理。基于分析结果,改进了芯片结构设计和芯片工艺夹具。对改进后的芯片进行了统计实验验证,结果表明,激光二极管阵列的正向漏电问题得到基本解决,正向特性成品率从60%提高到90%以上。
- 杨红伟张世祖陈玉娟家秀云
- 关键词：大功率激光二极管保护区成品率
- 高效率976nm激光器材料被引量：5
- 2010年
- 使用自洽二维数字模拟软件优化半导体激光器的外延结构,对GaInAs/AlGaAs分别限制压应变单量子阱结构进行了模拟,研究了包层和波导层的Al组分对工作电压的影响。根据模拟结果,采用金属有机化学淀积(MOCVD)技术,外延生长了单量子阱976nm激光器材料。利用该材料制作成2mm腔长的连续(CW)单管器件,采用C-mount载体标准封装,并进行了测试。测试结果表明,模拟与实验的结论一致,降低优化包层和波导层的Al组分可以减小工作电压,从而提高了976nm半导体激光器的转换效率。室温下,当工作电流为500A/cm2时,包层和波导层Al组分分别为0.35和0.15时,激光器的工作电压降低为1.63V,使得电光转换效率达到67%。
- 田秀伟陈宏泰车相辉林琳王晶张世祖徐会武刘会民王晓燕杨红伟安振峰
- 关键词：压应变工作电压AL组分
