游小龙
- 作品数：3 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中南大学材料科学与工程学院更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺理学更多>>
- 钨丝直径和表面处理对金刚石形核生长的影响
- 对 Si 作不同的表面处理,采用热丝化学气相沉积(HFCVD)方法,使用不同直径的钨丝进行金刚石薄膜沉积;利用场发射扫描电镜、拉曼光谱对沉积的金刚石薄膜进行研究。结果表明:当钨丝的直径为0.5 mm 时, 沉积的金刚石薄...
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- 关键词：金刚石薄膜纳米晶粒表面形貌
- 文献传递
- YG13硼化处理后沉积气压对金刚石薄膜的影响被引量：9
- 2007年
- 采用超高真空热丝化学气相沉积(HFCVD)系统,以甲烷和氢气为反应气体,在YG13(WC-13%Co)硬质合金基体上沉积金刚石薄膜。用场发射扫描电子显微镜(FESEM)和X射线衍射仪(XRD)对金刚石薄膜进行检测分析,研究YG13经950℃、3h硼化预处理后沉积气压对金刚石薄膜形貌和生长织构的影响;通过压痕法比较硼化与二步法两种预处理方法对金刚石薄膜附着性能的影响。结果表明,基体经硼化预处理后表面形成CoB、CoW2B2、CoW3B3相;当沉积温度为750～800℃,碳源浓度为3.3%时,薄膜表面形貌和生长织构随着沉积气压改变有明显的变化;硼化预处理后所得样品在1500N载荷下压痕表现出良好的附着性能,较二步法预处理更加有效地改善了膜-基附着性能。
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- 关键词：金刚石薄膜硬质合金
- HFCVD金刚石薄膜在Mo基体表面的形核被引量：2
- 2008年
- 采用热丝化学气相沉积(HFCVD)方法在Mo基体上沉积金刚石薄膜,使用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对薄膜样品进行分析检测,研究了表面形核密度随碳源浓度的变化。结果表明:随着碳源浓度增加表面形核密度增大,当碳源浓度达到3%时,表面形核密度质量最佳,当浓度进一步增大时,形核密度下降;随着碳源浓度增加,生长加快,当生长过快时影响形核过程,形核密度下降。
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- 关键词：HFCVD金刚石薄膜
