沈雅明
- 作品数：2 被引量：6H指数：2
- 供职机构：西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室更多>>
- 发文基金：中国航空科学基金西北工业大学基础研究基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术更多>>
- 射频磁控溅射法制备氧化镱薄膜被引量：4
- 2007年
- 利用射频磁控溅射法,以高纯氧化镱(Yb_2O_3)为靶材,成功地制备出了Yb_2O_3薄膜,并对薄膜的沉积速率、成分、结构和光学性能进行了研究。结果表明,制备的薄膜中Yb和O元素结合形成了Yb_2O_3化合物;薄膜为具有立方结构的多晶体;在波长0.8μm以上薄膜的折射率约为1.66,吸收很小。
- 许宁刘正堂刘文婷沈雅明
- 关键词：射频磁控溅射氧化镱
- 高K栅介质HfSi_xO_y薄膜的制备工艺与结构分析被引量：2
- 2009年
- 采用射频磁控溅射法制备HfSixOy薄膜,系统研究工艺参数对HfSixOy薄膜沉积速率的影响规律。对沉积态和退火HfO2和HfSixOy薄膜的结构进行了对比分析。结果表明:HfSixOy薄膜的沉积速率随射频功率、Ar气体流量和粘贴Si面积的增大而增大,随溅射气压的增大而减小。衬底未加热时,制备的HfSixOy和HfO2薄膜均呈非晶态,随着衬底加热温度的上升,HfO2薄膜呈多晶态,而HfSixOy薄膜呈非晶态。HfSixOy薄膜在800℃退火后仍呈非晶态,而HfO2薄膜在400℃退火后已明显晶化,这表明HfSixOy薄膜具有较高的热稳定性。
- 沈雅明刘正堂冯丽萍刘璐许冰
- 关键词：高K栅介质射频磁控反应溅射沉积速率
