刘璐
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 供职机构：西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室更多>>
- 发文基金：西北工业大学基础研究基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信更多>>
- 退火对栅介质SrHfON薄膜性能的影响
- 2012年
- 采用射频磁控溅射法在Si衬底上制备新型栅介质SrHfON薄膜。采用X射线衍射(XRD)仪、高分辨透射电镜(HRTEM)和X射线光电子谱(XPS)分析退火对SrHfON薄膜的界面形态、薄膜的结构和电学性能的影响。结果表明,SrHfON薄膜经900℃退火后仍保持非晶态,表现出良好的热稳定性。SrHfON薄膜与Si衬底的界面主要由HfSixOy和SiO2组成。以SrHfON薄膜为栅介质的MOS电容结构具有较小的漏电流密度,并且漏电流密度随着退火温度的升高而减小。在外加偏压(Vg)为+1V时样品在沉积态和900℃退火后的漏电流密度分别为4.3×10-6和1.2×10-7A/cm2。研究表明,SrHfON薄膜是一种很有希望替代SiO2的新型栅介质材料。
- 刘璐刘正堂冯丽萍田浩刘其军王雪梅
- 关键词：栅介质射频磁控溅射
- 高K栅介质HfSi_xO_y薄膜的制备工艺与结构分析被引量：2
- 2009年
- 采用射频磁控溅射法制备HfSixOy薄膜,系统研究工艺参数对HfSixOy薄膜沉积速率的影响规律。对沉积态和退火HfO2和HfSixOy薄膜的结构进行了对比分析。结果表明:HfSixOy薄膜的沉积速率随射频功率、Ar气体流量和粘贴Si面积的增大而增大,随溅射气压的增大而减小。衬底未加热时,制备的HfSixOy和HfO2薄膜均呈非晶态,随着衬底加热温度的上升,HfO2薄膜呈多晶态,而HfSixOy薄膜呈非晶态。HfSixOy薄膜在800℃退火后仍呈非晶态,而HfO2薄膜在400℃退火后已明显晶化,这表明HfSixOy薄膜具有较高的热稳定性。
- 沈雅明刘正堂冯丽萍刘璐许冰
- 关键词：高K栅介质射频磁控反应溅射沉积速率
