田浩
- 作品数：7 被引量：17H指数：3
- 供职机构：西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室更多>>
- 发文基金：西北工业大学基础研究基金中国航空科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 退火时间对Cu-Al-O薄膜性能影响的研究被引量：1
- 2013年
- 通过制备Cu-Al-O薄膜并对其进行退火处理,研究了退火时间对薄膜形貌、结构以及紫外-可见透过率、带隙、中红外透过率的影响。研究结果表明:随着退火时间的增加,薄膜开始晶化,5.0 h时薄膜中出现裂纹,同时出现AlCu合金相;紫外-可见透过率随退火时间的增加而降低;中红外透过率随退火时间的增加先增加后降低;Cu-Al-O薄膜的直接带隙随退火时间的增加而降低。
- 高倩倩刘正堂冯丽萍田浩
- 关键词：退火时间透过率
- 氧气对磁控溅射HfO_2薄膜电学性能的影响被引量：4
- 2010年
- 采用射频磁控溅射法在无氧和有氧气氛下制备了HfO2薄膜。通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、傅立叶变换红外光谱(FTIR)、椭圆偏振光谱(SE)以及电容-电压(C-V)测试对薄膜的结构、成分、HfO2/Si界面和HfO2栅介质MOS结构的电学性能等进行了分析表证。结果表明,溅射过程中通入氧气后,薄膜出现了较明显的结晶化;薄膜的氧化程度得到提高,成分更接近理想化学计量比HfO2。在HfO2/Si界面处存在的SiO2界面层,有氧条件下界面层的厚度增大。氧气的通入改善了HfO2栅介质MOS结构的电学性能。
- 刘文婷刘正堂闫锋田浩刘其军
- 关键词：射频磁控溅射HFO2薄膜界面层电学性能
- 新型高k栅介质HfSiON薄膜的制备及性能研究被引量：3
- 2008年
- 为了替代传统的SiO2栅介质,利用射频反应溅射法在Si衬底上制备了新型HfSiON薄膜。研究了HfSiON薄膜的成分、结构和介电性能。由XRD图谱可知,HfSiON薄膜经900℃高温退火处理后仍为非晶态,显示出良好的热稳定性。MOS电容的高频C-V曲线测量显示,HfSiON薄膜具有较好的介电特性,其介电常数可达到18.9,电容等效氧化层厚度为4.5nm。I-V测量结果表明,HfSiON薄膜的漏电流密度很低,在外加偏压(Vg)为±1.5V处的漏电流密度分别为3.5×10-7A/cm2(+1.5V)和1.5×10-6A/cm2(–1.5V)。研究表明,HfSiON薄膜将会是一种很有希望取代SiO2的新型高k栅介质材料。
- 冯丽萍刘正堂田浩
- 关键词：高K栅介质
- 退火对磁控溅射HfSi_xO_y薄膜光学性质的影响被引量：3
- 2012年
- 采用射频反应磁控溅射方法在硅衬底制备了HfSixOy薄膜,用X射线光电子能谱(XPS)分析了HfSixOy薄膜的成分,用X射线衍射(XRD)检测了薄膜的结构,并用椭圆偏振光谱仪研究了退火处理对薄膜光学性质的影响。XRD谱显示,HfSixOy薄膜经700℃高温退火处理后仍为非晶态,而在900℃高温退火处理后出现晶化。采用Tauc-Lorentz(TL)色散模型对测试得到的曲线进行拟合并分析得出薄膜的光学常数,结果表明,薄膜的折射率随退火温度的升高而增加,而消光系数随退火温度的升高呈降低趋势。薄膜的光学带隙随着退火温度的升高增加,采用外推法得到薄膜沉积态和经500℃,700℃,900℃退火后的带隙分别为5.62,5.65,5.68,5.98eV。
- 田浩刘正堂冯丽萍高倩倩刘文婷
- 关键词：光学特性退火射频反应磁控溅射
- 退火对栅介质SrHfON薄膜性能的影响
- 2012年
- 采用射频磁控溅射法在Si衬底上制备新型栅介质SrHfON薄膜。采用X射线衍射(XRD)仪、高分辨透射电镜(HRTEM)和X射线光电子谱(XPS)分析退火对SrHfON薄膜的界面形态、薄膜的结构和电学性能的影响。结果表明,SrHfON薄膜经900℃退火后仍保持非晶态,表现出良好的热稳定性。SrHfON薄膜与Si衬底的界面主要由HfSixOy和SiO2组成。以SrHfON薄膜为栅介质的MOS电容结构具有较小的漏电流密度,并且漏电流密度随着退火温度的升高而减小。在外加偏压(Vg)为+1V时样品在沉积态和900℃退火后的漏电流密度分别为4.3×10-6和1.2×10-7A/cm2。研究表明,SrHfON薄膜是一种很有希望替代SiO2的新型栅介质材料。
- 刘璐刘正堂冯丽萍田浩刘其军王雪梅
- 关键词：栅介质射频磁控溅射
- Cmcm空间群斜方SrHfO_3的电子结构和光学性质理论计算（英文）
- 2016年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了Cmcm空间群斜方SrHfO_3的电子结构和光学性质。计算得到的Cmcm斜方SrHfO_3的平衡晶格常数均与实验值相近。同时,计算得到了Cmcm斜方SrHfO_3的能带结构、态密度和电荷密度。结果表明,斜方SrHfO_3属于直接带隙氧化物,在Hf和O之间主要是共价键结合而在Sr和O之间主要呈现离子键特性。计算还得到了斜方SrHfO_3的复介电函数、折射率和消光系数等,且复介电函数的实部与虚部都与实验结果接近。
- 田浩冯丽萍刘正堂
- 关键词：电子结构光学性质
- 射频磁控溅射法制备类金刚石薄膜的研究被引量：6
- 2007年
- 采用射频磁控溅射法,纯Ar溅射石墨靶,制备出了类金刚石薄膜,并对薄膜沉积速率随各工艺参数的变化规律、薄膜结构以及光学性能进行了系统的研究。结果表明,沉积速率随射频功率、CH4流量和溅射气压的增大而增大;随温度的增大呈现先增大后小的趋势。结构分析发现,所制备的DLC薄膜是由sp2键镶嵌在sp3键基体中构成的。在3μm^5μm波段对Si衬底有明显的增透效果。
- 赵海龙刘正堂田浩李阳平闫锋
- 关键词：射频磁控溅射类金刚石薄膜增透
