刘文婷
- 作品数：26 被引量：46H指数：4
- 供职机构：西安石油大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：中国航空科学基金西北工业大学基础研究基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术文化科学更多>>
- 射频磁控溅射法制备氧化镱薄膜被引量：4
- 2007年
- 利用射频磁控溅射法,以高纯氧化镱(Yb_2O_3)为靶材,成功地制备出了Yb_2O_3薄膜,并对薄膜的沉积速率、成分、结构和光学性能进行了研究。结果表明,制备的薄膜中Yb和O元素结合形成了Yb_2O_3化合物;薄膜为具有立方结构的多晶体;在波长0.8μm以上薄膜的折射率约为1.66,吸收很小。
- 许宁刘正堂刘文婷沈雅明
- 关键词：射频磁控溅射氧化镱
- O_2/Ar气体流量比对射频磁控溅射HfO_2薄膜的影响被引量：1
- 2011年
- 采用射频磁控溅射法,以HfO2陶瓷作为靶材,在石英衬底上制备了HfO2薄膜。通过椭圆偏振光谱仪(SE)、X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)研究了不同O2/Ar气体流量比对薄膜沉积速率、结构、形貌等的影响。结果表明,随着O2/Ar气体流量比从0增加到0.50,薄膜的沉积速率逐渐下降。O2/Ar气体流量比为0时制备的薄膜沿[001]方向择优取向生长,具有较高的结晶程度,较大的晶粒尺寸和柱状晶形貌。O2/Ar气体流量比不为0时制备的薄膜没有出现择优生长,结晶程度较低,晶粒尺寸较小,具有球形颗粒状形貌。随着O2/Ar气体流量比从0.25增加到0.50,薄膜的晶粒尺寸有所增大,形貌变化不大。最后探讨了O2/Ar气体流量比为0时制备HfO2薄膜择优取向生长的机理。
- 刘文婷刘正堂
- 关键词：HFO2薄膜
- CVD金刚石的红外增透和抗氧化研究被引量：2
- 2006年
- CVD金刚石具有一系列优异的性能,红外透过率高、吸收系数低,抗热冲击、耐磨损能力强,是理想的长波红外(8μm～12μm)高速飞行器窗口和头罩材料。但是,CVD金刚石的高温氧化现象严重损害了其红外透过率。因此,CVD金刚石的红外增透、抗氧化就成为大家关注的焦点。这里介绍了目前提高CVD金刚石红外透过率的主要途径和研究进展。
- 刘文婷刘正堂
- 关键词：CVD金刚石增透
- HfO2薄膜的制备与光学性能
- 采用射频磁控反应溅射法,以高纯热压 HfO 陶瓷为靶材,在 Si 衬底上成功制备出 HfO薄膜．系统研究了工艺参数对薄膜沉积速率的影响规律,并对薄膜的光学性能进行了研究．结果表明,射频功率对薄膜沉积速率的影响最为明显,O...
- 刘文婷刘正堂许宁鹿芹芹闫锋
- 关键词：磁控反应溅射HFO2薄膜沉积速率光学性能
- 文献传递
- 金属材料工程专业英语教学过程中的几点思考
- 2020年
- 专业英语是高等学校工科专业教育必不可少的课程,其目的是使学生掌握专业英语词汇,提高英文文献的阅读能力,为毕业设计、科学研究和跨文化背景下沟通交流奠定牢固的基础。文章分析了目前“金属材料工程专业英语”教学过程中存在的问题,结合作者从事专业英语课程的教学实践体会,从定位教学目标、丰富教学内容、改善教学模式等方面提出了几点建议。
- 雒设计刘文婷
- 关键词：专业英语金属材料工程教学手段
- 溅射功率对Au与CdZnTe晶体接触结构和性能的影响被引量：2
- 2006年
- 采用直流磁控溅射工艺,以Au为靶材在高阻半导体CdZnTe上制备导电薄膜。系统地研究了溅射功率对沉积速率、薄膜结构、组织形貌及接触性能的影响。结果表明,随溅射功率的增加沉积速率增大。I-V测试表明在高阻CdZnTe上溅射Au薄膜后不经热处理已具有良好的欧姆接触性能,溅射功率为100 W时的接触性能好于功率为40 W和70 W时的接触性能。
- 张兴刚刘正堂孙金池闫锋刘文婷
- 关键词：磁控溅射溅射功率欧姆接触
- 氧气对磁控溅射HfO_2薄膜电学性能的影响被引量：4
- 2010年
- 采用射频磁控溅射法在无氧和有氧气氛下制备了HfO2薄膜。通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、傅立叶变换红外光谱(FTIR)、椭圆偏振光谱(SE)以及电容-电压(C-V)测试对薄膜的结构、成分、HfO2/Si界面和HfO2栅介质MOS结构的电学性能等进行了分析表证。结果表明,溅射过程中通入氧气后,薄膜出现了较明显的结晶化;薄膜的氧化程度得到提高,成分更接近理想化学计量比HfO2。在HfO2/Si界面处存在的SiO2界面层,有氧条件下界面层的厚度增大。氧气的通入改善了HfO2栅介质MOS结构的电学性能。
- 刘文婷刘正堂闫锋田浩刘其军
- 关键词：射频磁控溅射HFO2薄膜界面层电学性能
- 浅谈金属材料工程专业建设的内涵发展被引量：1
- 2012年
- 近年来,随着时代的不断进步和发展,高等教育得到长足迅猛发展,但是不能忽视的是,在某些方面,还不能完全适应经济社会的发展,人才的培养在一定程度上存在欠缺。文章主要从专业的定义和高等教育的发展,探讨了专业建设的内涵。针对金属材料工程专业的建设,讨论了课程体系的建立,探讨了课堂教学的方法,提出了专业建设的特色,为金属材料工程专业的建设提供参考。
- 王荣雒设计刘文婷杨爱民张骁勇
- 关键词：金属材料工程课程体系
- 不同浓度S掺杂2H-CuInO_(2)的第一性原理研究
- 2023年
- 本文采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)平面波超软赝势方法,对1.04%、1.39%、2.08%掺杂浓度下2H-CuInO_(2)的能带结构和电子态密度进行了理论计算研究。结果表明:随着掺杂浓度的提高,S的掺杂使纯净的2H-CuInO_(2)能带结构中价带顶的位置被改变,并使其带隙降低。另外S的杂质能级在2H-CuInO_(2)中属于浅能级杂质,会参与费米能级的形成,说明S的掺杂可以提高2H-CuInO_(2)的导电率。
- 张校坚刘文婷
- 关键词：掺杂电子态密度
- 掺杂对2H-CuAlO_(2)结构和性能影响的第一性原理研究
- 2022年
- 采用基于第一性原理的广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了p型透明导电氧化物2H-CuAl_(2)在不同浓度Mg和Ca掺杂下的晶体结构以及电子特性。结果表明,Mg和Ca掺杂2H-CuAl_(2)的晶胞参数a随着掺杂浓度的升高都逐渐增大,c都逐渐减小;并且相同掺杂浓度下,Ca掺杂对晶胞参数a和c的作用大于Mg。Mg和Ca掺杂后,2H-CuAl_(2)依然具有间接带隙,带隙值随掺杂浓度增大而增大,相同掺杂浓度下,Mg掺杂2H-CuAl_(2)的带隙值大于Ca。Mg和Ca掺杂后2H-CuAl_(2)的总态密度出现增加,随着掺杂浓度增大总态密度逐渐降低,掺杂对2H-CuAl_(2)费米能级附近的导带和价带影响不大。
- 沈佐铭刘文婷毕毓嘉李阳平
- 关键词：掺杂晶体结构电子特性
