杨成林
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
- 供职机构：浙江理工大学更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 快速热处理对PECVD碳化硅薄膜性能的影响
- 2011年
- 使用PECVD在p型单晶硅衬底上沉积非晶碳化硅薄膜,研究快速热处理对薄膜的钝化性能和光学性能的影响。结果显示:随着热处理温度从450℃升高到850℃,薄膜厚度迅速减小;在650℃及以下温度进行热处理后折射率基本不变,但温度继续上升折射率迅速上升;同时热处理对薄膜的厚度和折射率的影响能在很短时间内完成,使薄膜迅速致密化。在低于750℃热处理时,衬底少子寿命增加,在热处理温度高于750℃后少子寿命急剧下降。碳化硅薄膜的反射率在快速热处理之后基本不变。
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- 关键词：碳化硅薄膜少子寿命
- 氧化物对(111)锗片表面少子寿命的影响研究被引量：1
- 2011年
- 为了提高(111)锗片表面少子寿命,分别采用体积分数30%过氧化氢和硝酸作为氧化剂,对试样表面进行湿化学氧化,得到表面的氧化层。利用微波光电导衰减仪测量试样在氧化反应前后的少子寿命变化情况,采用X射线光电子能谱测试样的Ge3d谱图,并进行机理分析。结果发现:经过过氧化氢处理的试样少子寿命得到很大提高,分析是由于GeO2钝化了锗表面悬挂键而达到了钝化效果。
- 杨成林梁萍兰问明亮席珍强
- 关键词：过氧化氢锗氧化物少子寿命XPS
- Ge单晶片的碱性化学腐蚀抛光研究被引量：3
- 2010年
- 采用湿法化学腐蚀技术,研究Ge单晶片在NaOH-H2O2体系中的化学腐蚀抛光特性。通过改变腐蚀液配比、腐蚀时间、腐蚀容器,分析锗单晶腐蚀抛光过程的机理及其表面状态变化规律。结果表明:锗单晶在碱性腐蚀抛光后的表面平整度能够接近酸腐蚀的单晶表面;在腐蚀过程中,双氧水分解产生的氧离子极少部分用于锗的氧化,但从动力学角度加快了腐蚀速率,促进了表面抛光的程度。在碱腐蚀条件下,锗单晶的腐蚀速率在一定范围内随氢氧化钠浓度增加呈先增后降趋势,表面粗糙度变化趋势与之相反。
- 张亚萍蒋敏杨成林孙法张秀芳席珍强
- 关键词：锗单晶碱腐蚀抛光
