梁萍兰
- 作品数：6 被引量：2H指数：1
- 供职机构：浙江理工大学更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 锗单晶中镍和金的行为研究
- 在低场条件下,锗可以提供比硅高3倍的空穴迁移率和比硅高2倍的电子迁移率,具有不可替代的优势,因此近年来锗的研究再次成为关注的重点。金属污染很容易在锗晶体的生长或晶片加工过程中产生,并在锗中以单质、复合体或沉淀的形式存在。...
- 梁萍兰
- 关键词：锗单晶镍金
- 快速热处理对PECVD碳化硅薄膜性能的影响
- 2011年
- 使用PECVD在p型单晶硅衬底上沉积非晶碳化硅薄膜,研究快速热处理对薄膜的钝化性能和光学性能的影响。结果显示:随着热处理温度从450℃升高到850℃,薄膜厚度迅速减小;在650℃及以下温度进行热处理后折射率基本不变,但温度继续上升折射率迅速上升;同时热处理对薄膜的厚度和折射率的影响能在很短时间内完成,使薄膜迅速致密化。在低于750℃热处理时,衬底少子寿命增加,在热处理温度高于750℃后少子寿命急剧下降。碳化硅薄膜的反射率在快速热处理之后基本不变。
- 问明亮周陈菊杨成林梁萍兰席珍强
- 关键词：碳化硅薄膜少子寿命
- 快速热处理下镍对锗单晶电学性能的影响
- 2012年
- 采用磁控溅射法在n-Ge表面镀镍薄膜,通过改变快速热处理时间研究镍对锗单晶的导电型号、电阻率和少子寿命的影响,以及镍在锗中的扩散行为。结果表明:镍在锗中具有向内扩散和向外扩散两种行为,并以受主状态存在,改变了锗内部的载流子的分布;775℃热处理后,镍受主完全补偿原有的施主,使锗由n型转变为p型,随着热处理时间的增加,电阻率下降,镍受主浓度增加。即使微量的镍就可以使锗的少子寿命直线下降至零点几微秒,这表明镍在锗中会引入深能级。
- 梁萍兰郑忠云张存磊王少锋席珍强
- 关键词：锗单晶镍
- 氧化物对(111)锗片表面少子寿命的影响研究被引量：1
- 2011年
- 为了提高(111)锗片表面少子寿命,分别采用体积分数30%过氧化氢和硝酸作为氧化剂,对试样表面进行湿化学氧化,得到表面的氧化层。利用微波光电导衰减仪测量试样在氧化反应前后的少子寿命变化情况,采用X射线光电子能谱测试样的Ge3d谱图,并进行机理分析。结果发现:经过过氧化氢处理的试样少子寿命得到很大提高,分析是由于GeO2钝化了锗表面悬挂键而达到了钝化效果。
- 杨成林梁萍兰问明亮席珍强
- 关键词：过氧化氢锗氧化物少子寿命XPS
- 太阳能电池用铸造多晶硅的碳浓度分布研究被引量：1
- 2013年
- 用傅里叶红外光谱仪(FTIR)测定定向凝固太阳能电池用多晶硅的轴向碳浓度分布。结果表明:实验样品的轴向碳浓度分布符合分凝规律。用经典分凝公式模拟该铸造多晶硅的轴向碳浓度分布,得到该铸造多晶硅的有效分凝系数为0.45。取硅熔点温度为定向凝固过程温度,通过BPS公式计算得到,碳在定向凝固过程中的扩散速度在4.72×10-8～4.72×10-7 cm/s的范围。
- 刘耀南梁萍兰张存磊席珍强
- 关键词：碳浓度FTIR
- 一种改变锗单晶导电型号的方法
- 本发明公开了一种改变锗单晶导电型号的方法。在常温下，采用磁控溅射法在n型锗单晶片表面沉积90～110nm厚的镍或金薄膜；将表面沉积镍或金薄膜的n型锗单晶片，于快速热处理炉中，通入保护气体，升温到725～875℃，保温30...
- 席珍强梁萍兰杜平凡徐敏
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