张亚萍
- 作品数：8 被引量：25H指数：3
- 供职机构：浙江理工大学材料与纺织学院更多>>
- 发文基金：浙江省科技计划项目浙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程电气工程一般工业技术更多>>
- β-环糊精接枝真丝包合荆芥天然驱蚊剂制备防蚊织物被引量：1
- 2016年
- 为了制备安全环保、长效防蚊真丝织物,选用将β-环糊精接枝至真丝织物上,然后包合天然荆芥精油乳液的方法。优化的接枝工艺为:β-环糊精80 g/L,交联剂BTCA 90 g/L,催化剂SHP 40 g/L,二浸二轧,轧余率100%,在85℃条件下预烘3 min后,再在170℃条件下焙烘3 min。制备的防蚊真丝双绉、真丝乔其对蚊子的驱避率分别为87.65%、81.96%。经20次水洗后,对蚊子的驱避率分别仍可达到60.03%、57.10%。制备的天然环保防蚊真丝织物具有良好的防蚊效果和耐洗性。
- 王晓芳陶尧定吴岚张亚萍李晓莉余志成
- 关键词：Β-环糊精荆芥防蚊真丝织物
- PECVD法制备碳化硅薄膜的减反射性能研究被引量：5
- 2010年
- 利用正交实验方法,探讨PECVD法制备碳化硅薄膜沉积参数变化对其减反射性能的影响,并进一步研究不同沉积参数对薄膜沉积速率和折射率的影响规律。结果表明,沉积参数中衬底温度是影响碳化硅薄膜减反射性能的主要因素;薄膜的生长速率随着衬底温度和硅烷与甲烷流量比的升高而降低,并且薄膜的折射率随衬底温度的升高而增大,但气体流量比对折射率的影响不大。
- 张瑞丽杜红文张亚萍杜平凡问明亮张秀芳席珍强
- 关键词：PECVD碳化硅薄膜正交实验
- 热处理对铜玷污单晶锗(111)光学性能的影响
- 2010年
- 采用傅里叶红外光谱测试技术,研究快速热处理(RTP)和常规热处理(CFP)对表面铜玷污单晶锗红外透过率的影响。结果表明:样品的红外透过率随热处理温度的上升呈增大趋势。样品经过短时间抛光后,红外透过率恢复至初始大小。分析表明Cu-Ge的互扩散及界面反应是造成透过率改变的主要原因。
- 孙法蒋敏张亚萍张秀芳张瑞丽姚晓辉席珍强
- 关键词：红外透过率
- Ge单晶片的碱性化学腐蚀抛光研究被引量：3
- 2010年
- 采用湿法化学腐蚀技术,研究Ge单晶片在NaOH-H2O2体系中的化学腐蚀抛光特性。通过改变腐蚀液配比、腐蚀时间、腐蚀容器,分析锗单晶腐蚀抛光过程的机理及其表面状态变化规律。结果表明:锗单晶在碱性腐蚀抛光后的表面平整度能够接近酸腐蚀的单晶表面;在腐蚀过程中,双氧水分解产生的氧离子极少部分用于锗的氧化,但从动力学角度加快了腐蚀速率,促进了表面抛光的程度。在碱腐蚀条件下,锗单晶的腐蚀速率在一定范围内随氢氧化钠浓度增加呈先增后降趋势,表面粗糙度变化趋势与之相反。
- 张亚萍蒋敏杨成林孙法张秀芳席珍强
- 关键词：锗单晶碱腐蚀抛光
- 抛光前Si(100)单晶片表面粗糙度的研究
- 2010年
- 采用光学显微镜、原子力显微镜和表面轮廓仪等测试方法系统研究了温度和NaOH浓度对Si（100）单晶片表面粗糙度的影响，结果表明：低温下，硅片表面的缺陷和损伤引起的局部腐蚀速率较大，是造成硅片表面粗糙度大的主要原因；而高温下温度的影响大于表面缺陷和损伤的影响，局部腐蚀速率差减小，硅片表面较为平整。另外，硅片在质量分数为20％～30％的NaOH溶液中腐蚀后粗糙度较小，是因为硅片在此浓度范围的腐蚀液中腐蚀速率较快，而浓度较高时腐蚀速率反而变慢的缘故。
- 张秀芳杜红文张瑞丽张亚萍孙法席珍强
- 关键词：表面粗糙度温度
- 微米级氧化亚铜晶体的形貌控制及其表征被引量：1
- 2009年
- 以硫酸铜、乳酸钠为原料,通过氢氧化钠调节反应溶液的pH值,在150℃条件下水热合成不同形貌的氧化亚铜晶体。应用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对氧化亚铜粉末进行了表征,并对氧化亚铜的生长机理进行了探讨。结果表明:该粉体为微米级氧化亚铜,随着pH升高其形貌从枝状逐步过渡到八面体,最终为立方体。通过水热法实现了氧化亚铜晶体形貌可控。
- 贾红俞晓晶张亚萍金达莱姚奎鸿王龙成
- 关键词：水热法氧化亚铜晶体形貌PH
- 防蚊微胶囊的制备及工艺优化被引量：2
- 2016年
- 以壳聚糖和十二烷基苯磺酸钠为壁材,荆芥精油为芯材,采用复凝聚法制备荆芥精油微胶囊,讨论了乳化剂的复配质量比、复配乳化剂用量、芯壁比、芯壁质量分数、复凝聚pH值、搅拌速度、固化剂用量对荆芥精油微胶囊制备的影响,并测试了荆芥精油微胶囊的官能团结构及微观形貌。试验结果表明：在复配乳化剂Span-80/Tween-80质量比2∶1,乳化剂用量为精油质量的30%,芯壁比2∶1,芯壁质量分数0.5%,复凝聚pH值5.5,搅拌速度600r/min,固化剂用量为壳聚糖质量分数2%的条件下制备所得的荆芥精油微胶囊的外观呈圆球形,规整圆滑,表面有微孔,平均粒径1～2μm左右,粒径分布较集中。
- 张亚萍李晓莉余志成吴岚王晓芳
- 关键词：壳聚糖微胶囊复凝聚
- 锗单晶材料的生长与应用被引量：13
- 2009年
- 锗单晶材料由于独特的性能而被广泛应用于微电子技术、红外技术、核探测、太阳电池等多个领域。简要介绍了直拉生长的工艺及特点，无位错直拉锗单晶的生长与现状，以及锗单晶材料在不同领域的应用和发展。
- 张亚萍席珍强张瑞丽张秀芳孙法
- 关键词：锗单晶直拉法
