张秀芳
- 作品数：11 被引量：22H指数：3
- 供职机构：浙江理工大学更多>>
- 发文基金：浙江省科技计划项目浙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程电气工程理学更多>>
- PECVD法制备碳化硅薄膜的减反射性能研究被引量：5
- 2010年
- 利用正交实验方法,探讨PECVD法制备碳化硅薄膜沉积参数变化对其减反射性能的影响,并进一步研究不同沉积参数对薄膜沉积速率和折射率的影响规律。结果表明,沉积参数中衬底温度是影响碳化硅薄膜减反射性能的主要因素;薄膜的生长速率随着衬底温度和硅烷与甲烷流量比的升高而降低,并且薄膜的折射率随衬底温度的升高而增大,但气体流量比对折射率的影响不大。
- 张瑞丽杜红文张亚萍杜平凡问明亮张秀芳席珍强
- 关键词：PECVD碳化硅薄膜正交实验
- 热处理对铜玷污单晶锗(111)光学性能的影响
- 2010年
- 采用傅里叶红外光谱测试技术,研究快速热处理(RTP)和常规热处理(CFP)对表面铜玷污单晶锗红外透过率的影响。结果表明:样品的红外透过率随热处理温度的上升呈增大趋势。样品经过短时间抛光后,红外透过率恢复至初始大小。分析表明Cu-Ge的互扩散及界面反应是造成透过率改变的主要原因。
- 孙法蒋敏张亚萍张秀芳张瑞丽姚晓辉席珍强
- 关键词：红外透过率
- Ge单晶片的碱性化学腐蚀抛光研究被引量：3
- 2010年
- 采用湿法化学腐蚀技术,研究Ge单晶片在NaOH-H2O2体系中的化学腐蚀抛光特性。通过改变腐蚀液配比、腐蚀时间、腐蚀容器,分析锗单晶腐蚀抛光过程的机理及其表面状态变化规律。结果表明:锗单晶在碱性腐蚀抛光后的表面平整度能够接近酸腐蚀的单晶表面;在腐蚀过程中,双氧水分解产生的氧离子极少部分用于锗的氧化,但从动力学角度加快了腐蚀速率,促进了表面抛光的程度。在碱腐蚀条件下,锗单晶的腐蚀速率在一定范围内随氢氧化钠浓度增加呈先增后降趋势,表面粗糙度变化趋势与之相反。
- 张亚萍蒋敏杨成林孙法张秀芳席珍强
- 关键词：锗单晶碱腐蚀抛光
- 抛光前Si(100)单晶片表面粗糙度的研究
- 2010年
- 采用光学显微镜、原子力显微镜和表面轮廓仪等测试方法系统研究了温度和NaOH浓度对Si（100）单晶片表面粗糙度的影响，结果表明：低温下，硅片表面的缺陷和损伤引起的局部腐蚀速率较大，是造成硅片表面粗糙度大的主要原因；而高温下温度的影响大于表面缺陷和损伤的影响，局部腐蚀速率差减小，硅片表面较为平整。另外，硅片在质量分数为20％～30％的NaOH溶液中腐蚀后粗糙度较小，是因为硅片在此浓度范围的腐蚀液中腐蚀速率较快，而浓度较高时腐蚀速率反而变慢的缘故。
- 张秀芳杜红文张瑞丽张亚萍孙法席珍强
- 关键词：表面粗糙度温度
- 纳米棉纤维/ZnO复合材料的改性及光催化性能研究
- ZnO作为一种价格低廉、光敏性强的催化材料而备受研究者青睐。但是目前ZnO催化剂的使用存在两大难题:一，其呈粉末状，自身易团聚，很难回收再利用;二，只对紫外光区有响应，无法充分利用太阳能。基于此，一方面，本文选用自然界中...
- 张秀芳
- 关键词：复合材料改性工艺光催化性能
- 文献传递
- 一种稀土磷酸盐LnPO<Sub>4</Sub>:Ce
- 本发明公开了一种稀土磷酸盐LnPO<Sub>4</Sub>:Ce，Tb绿色荧光粉的制备方法。按摩尔比称取Ln<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、CeO<Sub>2</Sub>和Tb<Sub>4</Sub>...
- 杜平凡席珍强张秀芳
- 文献传递
- 硅、锗切割片的损伤层研究
- 半导体硅、锗是制造集成电路/(IC/)芯片和半导体器件的基础材料,随着IC工艺的不断发展,单晶片的尺寸越做越大。目前,IC技术已迈入纳米电子时代,对半导体硅、锗单晶片的加工质量的要求越来越高。切割加工是晶片加工过程中的重...
- 张秀芳
- 关键词：粗糙度
- 文献传递
- 一种锗烷提纯的方法
- 本发明公开了一种锗烷提纯的方法。根据纯度为92％～96％的中所含气体分子的相关物理参数以及分子筛的吸附特性，选用4A和5A两种分子筛；粗锗烷依次通过装有4A和5A分子筛的吸附柱后，用锗烷收集系统收集得到纯度为99％～99...
- 席珍强杜平凡张瑞丽张秀芳张亚萍姚晓辉
- 文献传递
- 一种合成锗化镁的方法
- 本发明公开了一种合成锗化镁的方法。将锗粉和镁粉按物质的量之比1∶2均匀混和后装入反应器并加封盖，将反应器推入炉管。用机械泵将炉管内抽至真空，移入加热炉，开始升温。当温度达到合成所需的500～600℃后，保温1～3小时使反...
- 席珍强杜平凡张瑞丽张亚萍张秀芳姚奎鸿
- 文献传递
- 锗单晶材料的生长与应用被引量：13
- 2009年
- 锗单晶材料由于独特的性能而被广泛应用于微电子技术、红外技术、核探测、太阳电池等多个领域。简要介绍了直拉生长的工艺及特点，无位错直拉锗单晶的生长与现状，以及锗单晶材料在不同领域的应用和发展。
- 张亚萍席珍强张瑞丽张秀芳孙法
- 关键词：锗单晶直拉法
