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孙法

作品数:6 被引量:19H指数:3
供职机构:浙江理工大学更多>>
发文基金:浙江省科技计划项目国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信化学工程更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇化学工程

主题

  • 3篇单晶
  • 2篇锗单晶
  • 2篇抛光
  • 2篇
  • 2篇粗糙度
  • 1篇单晶片
  • 1篇电学
  • 1篇氧化钛薄膜
  • 1篇真空蒸镀
  • 1篇直拉法
  • 1篇水性
  • 1篇亲水性
  • 1篇温度
  • 1篇面粗糙度
  • 1篇晶片
  • 1篇碱腐蚀
  • 1篇光学
  • 1篇红外透过率
  • 1篇二氧化钛薄膜
  • 1篇半导体

机构

  • 6篇浙江理工大学
  • 2篇杭州士兰集成...
  • 1篇兰州交通大学
  • 1篇浙江机电职业...

作者

  • 6篇孙法
  • 4篇席珍强
  • 4篇张秀芳
  • 4篇张亚萍
  • 3篇张瑞丽
  • 2篇蒋敏
  • 1篇曹开斌
  • 1篇杜红文
  • 1篇汪洋
  • 1篇杨成林
  • 1篇姚晓辉
  • 1篇彭晓光

传媒

  • 3篇浙江理工大学...
  • 1篇功能材料
  • 1篇材料导报(纳...

年份

  • 3篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2008
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
热处理对铜玷污单晶锗(111)光学性能的影响
2010年
采用傅里叶红外光谱测试技术,研究快速热处理(RTP)和常规热处理(CFP)对表面铜玷污单晶锗红外透过率的影响。结果表明:样品的红外透过率随热处理温度的上升呈增大趋势。样品经过短时间抛光后,红外透过率恢复至初始大小。分析表明Cu-Ge的互扩散及界面反应是造成透过率改变的主要原因。
孙法蒋敏张亚萍张秀芳张瑞丽姚晓辉席珍强
关键词:红外透过率
Ge单晶片的碱性化学腐蚀抛光研究被引量:3
2010年
采用湿法化学腐蚀技术,研究Ge单晶片在NaOH-H2O2体系中的化学腐蚀抛光特性。通过改变腐蚀液配比、腐蚀时间、腐蚀容器,分析锗单晶腐蚀抛光过程的机理及其表面状态变化规律。结果表明:锗单晶在碱性腐蚀抛光后的表面平整度能够接近酸腐蚀的单晶表面;在腐蚀过程中,双氧水分解产生的氧离子极少部分用于锗的氧化,但从动力学角度加快了腐蚀速率,促进了表面抛光的程度。在碱腐蚀条件下,锗单晶的腐蚀速率在一定范围内随氢氧化钠浓度增加呈先增后降趋势,表面粗糙度变化趋势与之相反。
张亚萍蒋敏杨成林孙法张秀芳席珍强
关键词:锗单晶碱腐蚀抛光
抛光前Si(100)单晶片表面粗糙度的研究
2010年
采用光学显微镜、原子力显微镜和表面轮廓仪等测试方法系统研究了温度和NaOH浓度对Si(100)单晶片表面粗糙度的影响,结果表明:低温下,硅片表面的缺陷和损伤引起的局部腐蚀速率较大,是造成硅片表面粗糙度大的主要原因;而高温下温度的影响大于表面缺陷和损伤的影响,局部腐蚀速率差减小,硅片表面较为平整。另外,硅片在质量分数为20%~30%的NaOH溶液中腐蚀后粗糙度较小,是因为硅片在此浓度范围的腐蚀液中腐蚀速率较快,而浓度较高时腐蚀速率反而变慢的缘故。
张秀芳杜红文张瑞丽张亚萍孙法席珍强
关键词:表面粗糙度温度
铜和银在锗单晶中的电学行为研究
锗是一种重要的半导体材料。随着它在半导体领域的地位逐渐恢复,锗的研究再次成为热门。与硅一样,锗基材料在清洗、加工、使用过程中较容易受到过渡族金属的玷污。为减小或避免金属杂质玷污造成的破坏,必须研究过渡族金属在锗单晶中的电...
孙法
关键词:锗单晶半导体材料
文献传递
锗单晶材料的生长与应用被引量:13
2009年
锗单晶材料由于独特的性能而被广泛应用于微电子技术、红外技术、核探测、太阳电池等多个领域。简要介绍了直拉生长的工艺及特点,无位错直拉锗单晶的生长与现状,以及锗单晶材料在不同领域的应用和发展。
张亚萍席珍强张瑞丽张秀芳孙法
关键词:单晶直拉法
大规模真空蒸镀二氧化钛薄膜及其表征被引量:3
2008年
采用大型真空镀膜设备在玻璃基底上蒸镀二氧化钛(TiO2)薄膜,并对TiO2薄膜进行了SEM、AFM、XRD、紫外可见光吸收光谱、亲水性的测试及分析,探讨了退火温度对薄膜性能的影响。结果表明制备的TiO2薄膜具有良好的均匀性。在室温条件下,TiO2薄膜具有无定型的结构;在300~500℃的条件下,TiO2薄膜退火2h后以锐钛矿晶型为主,600℃退火的TiO2薄膜明显向金红石型转变。随退火温度的升高,薄膜对紫外光和可见光的吸收有明显提高,并出现了明显的红移现象。另外,亲水性也随退火温度的升高而变强,500和600℃退火的TiO2薄膜表面出现超亲水性。
彭晓光汪洋曹开斌孙法
关键词:TIO2真空蒸镀亲水性
共1页<1>
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